KIA6706A 6706A中文材料 6706A引脚图 6706A电路道理 KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2018-06-28
KIA6706A是一种高细胞密度沟槽N-ch MOSFETs，它供给了良好的RDSON和门电荷为大大都同步降压变更器的利用。KIA6706A知足碳氢化合物和绿色产物请求。
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RDS(on)=7.5mΩ(键入)@VGS=10V
超低门电荷
绿色装备可用
Cdv/dt效应降落
进步前辈的高密度槽道手艺
产物型号：KIA6706A
任务体例：18A/60V
漏源电压：60V
栅源电压：±20A
泄电留连续：18A
脉冲漏极电流：75A
雪崩电流：40A
雪崩能量：80mJ
耗散功率：2.7W
热电阻：45℃/V
漏源击穿电压：60V
栅极阈值电压：1.2V
输入电容：3307PF
输入电容：201PF
回升时候：41.2ns
封装情势：SOP-8
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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