光耦驱动mos管电路详解-光耦对mos驱动电流计较三种体例-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2018-06-11
在光耦驱动的电路中，针对MOS管的驱动电流是须要出格停止预算的．—般经常利用的预算体例，将对光耦mos管预算体例停止先容．并对每种预算体例停止讲授
能够利用以下公式预算：
Ig=Qg/Ton
此中：
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
td(on)：MOS导通提早时候，从有驶入电压回升到10%起头到VDS降落到其幅值90%的时候。
Tr：回升时候。输入电压VDS从90%降落到其幅值10%的时候
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到）
密勒效应时候（开关时候）Ton/off=Qgd/Ig；
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg；
Ig：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；
以一个现实MOS管为例，看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先回升而后几近程度再回升。程度那段是管子守旧（密勒效应）假设你但愿在0.2us内使管子守旧，估量总时候（先回升而后程度再回升）为0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A，固然，这是峰值，仅在管子守旧和关短的各0.2us里有电流，其余时候几近不电流，均匀值很小，但若是驱动芯片不能输入这个峰值，管子的守旧就会变慢。
这3种今朝较为罕见的对光耦利用中MOS管停止预算的体例。每种体例都有其本身的特色，按照差别的环境，设想者能够按照公式或曲线形式来对MOS管的取值停止预算。
Form A=常开触点
Form B=常闭触点
Form C=转换触点
Form E=双稳态开关
AT=安培匝数用于描写磁场活络度的参数
NC是常闭触点（一般闭合）
NO是常开触点（常开）
无触点，是以不触点的磨损，利用寿命是无穷的；
无震撼和弹跳；防震，抗摔性；
无举措声响；
小体积（有直插和贴片两种封装），高相信性；
AC/DC兼用；
高速切换；
低放电电压；
低举措电流（省电流）；
低开路时的泄电电流；
输入与输入间完整绝缘；
可节制各类负载（继电器、电灯、发光二极管、加热器、马达、电磁吸筒等）。
光耦继电器是不寿命的，发光二极管导通停止，领受二极管导通停止，不会由于老化而坏掉。是以光耦继电器合用于频频须要开关的范畴。
光耦继电器另有一个长处便是没响声，不会咔嚓咔嚓响
继电器触点范例有：1常开、1常闭、1开1闭、2常开、2常闭…..
总之良多良多，按需要挑选。
实在光耦继电器按输入布局也能够分为MOS(场效应管)输入或SCR(可控硅整流管)输入。
MOS输入的负载电流比拟小(凡是几百mA)，而若是是SCR输入的负载电流比拟大(能到达几mA)
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