大功率场效应管型号-详解大功率场效应管型号及参数先容等-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2018-06-06
| Prato Numbe | ID（A) | VDSS（V) | RDS（ON）Ω |
| KIA1N60H |
1 |
600 | 11.5 |
| KIA4N60H | 4 | 600 | 2.7 |
| KIA7N60H | 7 | 600 | 1.2 |
| KIA7N65H | 7 | 650 | 1.4 |
| KIA840S | 8 | 500 | 0.9 |
| KIA13N50H | 13 | 500 | 0.048 |
| KIA6N70S | 5.8 | 700 | 1.6 |
| KND4360A | 4 | 600 | 2.3 |
| KND4365A | 4 | 650 | 2.5 |
| KIA5N50H | 5 | 500 | 1.5 |
| KND4560A | 6 | 600 | 1.7 |
| KND4665B | 7 | 650 | 1.4 |
| KIA4750S | 9 | 500 | 0.9 |
| KIA5N60E | 4.5 | 600 | 2.5 |
| KIA730H | 6 | 400 | 1 |
| KIA7N80H | 7 | 800 | 1.9 |
|
KNP6140A |
10 | 400 | 0.5 |
| KIA10N65H10 | 10 | 650 | 0.75 |
| KIA12N60H | 12 | 600 | 0.65 |
| KIA12N65H | 12 | 650 | 0.75 |
| KIA13N50H | 13 | 500 | 0.48 |
| KIA18N50HF | 18 | 500 | 0.32 |
| KIA20N50H | 24 | 500 | 0.26 |
| KIA24N50H | 24 | 500 | 0.2 |
| KIA9N90S | 9 | 900 | 1.4 |
| KNP6650A | 15 | 500 | 0.45 |
| KIA40N20H | 40 | 200 | 0.1 |
| KIA6035A | 11 | 350 | 0.48 |
| KIA6110A | 15 | 100 | 0.11 |
| KNB1906B | 230 | 60 | 0.0035 |
| KIA7610A | 25 | 100 | 0.038 |
| KND4665B | 7 | 650 | 1.4 |
| KND830U | 8 | 500 | 0.9 |
| KIA10N80H | 10 | 800 | 1.1等 |
1.夹断电压Up
在UDS为某一牢固值的前提下，使ID即是一个细小电流值(几微安)时，栅极上所加偏压UGS便是夹断电压。它合用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。
2. 开启电压UT
在UDS为某一牢固值的前提下，使S 极与D 极之间构成导电沟道的UGS便是开启电压。它只合用于加强型绝缘栅型场效应管。
3. 饱和电流IDSS
在UDS =0的前提下，漏极与源极之间所加电压大于夹断电压时的沟道电流称为饱和电流，它合用于耗尽型绝缘栅型场效应管。
4. 直流输入电阻RGS
在场效应管输入端(即栅源之间)所加的电压Ucs 与流过的栅极电流之比，称作直流输入电阻。绝缘栅型场效应管的直流输入电阻比结型场效应管大两个数目级以上。结型场效应管的直流输入电阻为1 X 10 8Ω，而绝缘栅型场效应管的直流输入电阻为1 X 10 12Ω 以上。
5. 漏源击穿电压BVDS
在增大漏师、电压的进程中.使ID起头剧增的UDS值，称为漏源击穿电压。BVDS肯定了场效应管的利用电压。
6. 栅源击穿电压BVGS
对结型场效应管来讲，反向饱和电流起头剧增时的UGS值，即为栅游、击穿电压。对绝缘栅型场效应管来讲，它是使SiO2 绝缘层击穿的电压。
1.跨导gm
在漏源电压UDS必然时，漏极电流ID的微量变更和引发这个变更的栅源电压微变量之比称为跨导，即跨导是权衡场效应管栅源电压UGS对漏极电流ID节制才能的一个参数，也是权衡场效应管缩小感化的首要参数之一。
2. 漏源静态电阻rDS
在栅洒、电压必然时， UDS的细小变更量与ID的变更量之比，称为漏源静态内阻rDS ,即rDS的取值规模普通为数千欧至数百千欧。
①极间电容
场效应管的三个电极间都存在着极间电容，即栅师、电容CGS、栅泄电容CGD和师、泄电容CDS。CGS和CGD普通为1 - 3pF , CDS约为0.1 - 1pF
②漏源最大电流IDM
它是指场效应管漏源极的许可经由过程的最大电流
③场效应管耗散功率PD
它是指场效应督任务时所耗散的功率
④低频噪声系数NF
场效应管的噪声是由外部载流子活动的不法则性引发的。它的存在会使一个缩小器即便在不旌旗灯号输入时，在输入端也会呈现不法则的电压或电流的变更。场效应管的低频噪声系数要比半导体三极管小。
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