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疾速规复整流二极管特色 整流二极管尖峰按捺10种体例 KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2018-04-08 

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快规复二极管(简称FRD)是一种具备开关特色好、反向规复时候短特色的半导体二极管,首要操纵于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管操纵。快规复二极管的外部规划与通俗PN结二极管差别,它属于PIN结型二极管,即在P型硅资料与N型硅资料中间增添了基区I,组成PIN硅片。因基区很薄,反向规复电荷很小,以是快规复二极管的反向规复时候较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。


上面例举的是用于高耐压、高电流的二极管,但根据其特色、特色、制作工艺可停止以下分类。此时,对二极管根基的操纵前提而言,特色和机能已优化。


整流二极管的特色

在这里,将整流二极管分为以下4类:通用整流用、通用开关用、肖特基势垒二极管、疾速规复二极管4品种型,特色汇总于下表。

范例 特色 VF IR trr 合适操纵
整流 合用 ?

?

通俗整流

电源的反接掩护

开关 开关用 ?


纯真的开关用

微节制器核心开关

肖特基势垒

SBD

高速(~200V)

低VF


?

DC/DC转换器

AC/DC转换器(二次侧)

疾速规复

FRD

高速(~200V) ?


AC/DC转换器

逆变器电路

通用型通俗用于整流,首要目标是将交换整流为直流。桥式二极管是整流用的二极管组合。别的,用于有意中电源或电池反接时,掩护用于避免过电流流过。正向电压VF因任务电流而异,1V摆布为规范。这是硅PN结二极管的通俗VF。反向规复时候trr是以50Hz/60Hz的商用电源的整流为前提,以不是出格快的为规范。


开关型,用处如其字面所示,首要用于电源的切换。VF规范与通用型不异。由于以开关用处为目标,以是trr比通用型更快。可是,还达不到肖特基势垒二极管或疾速规复二极管的速率,其开关特色仅定位于比通用型快。


肖特基势垒二极管(SBD)不是PN结,而是操纵金属和半导体如N型硅的构成肖特基势垒(Barrier)。与PN结二极管比拟,肖特基势垒二极管(SBD)具备VF更低,开关特色更快的特色。可是,其反向泄电流IR较大,在某些前提下会致使热失控,务请注重。即便流经高达诸如10A的大电流,VF值也约莫为0.8V;若是流经几A的电流,VF值约莫为0.5V。是以,其典范用处便是用于寻求高效的DC/DC转换器或AC/DC转换器的二次侧。


疾速规复二极管(FRD)虽是PN结二极管,但倒是trr得以大幅改良的高速二极管。此时,SBD的耐压(反向电流VR)在200V以下,但FRD能到达800V高耐压。可是,通俗而言,其VF比通用型高,若是是高耐压大电流规格,规范值约莫为2V,但最近几年来,VF值降落的型号也有增添。因其高耐压和高速性,以是多用于AC/DC转换器或逆变器电路。


下图是上述内容的图解。此时,并非仅限于上述四品种型,同时也表现了Si二极管的根基温度特色。

疾速规复整流二极管

再反复一遍,左图表现SBD与其余三种二极管比拟,VF较低,IR较大。

中间图是将SBD与FRD以外的两种二极管比拟,其trr快良多,trr间活动的正向电流IR越大,消耗越大。

Si二极管的根基温度特色,低温状况时,VF下降,IR增添。


概述副边整流二极管的尖峰

开关电源发生噪声的首要部位是功率变更和输入整流滤波电路。包含开关管,整流管,变压器,另有输入扼流线圈,等。


不接纳任何办法时输入电压的峰值能够是输入基波的很多多少倍。呈现在开关脉冲的回升沿和降落沿。即开关管的导通和停止,凡是导通时尖峰更大一些。


整流二极管的尖峰按捺的10种体例!

前沿尖峰的一些按捺体例

1、选用软规复特色的肖特基二极管,或接纳在整流管前串连电感的体例比拟有用,或在开关管整流管的磁珠。磁芯资料选用对高频振荡呈高阻抗衰减特色的铁氧体资料,等。

2、在二次侧接入RC接收回路可进一步减小前沿尖峰的幅值,降落二极管规复进程中的振荡频次。

3、多个整流二极管并联;恰当增大整流二极管的电流容量,可绝对减小反向规复时的关断时候,限定反向短路电流的数值,可按捺电流尖峰和降落导通消耗。

4、尽能够使元件规划走线公道 ,减小大电流回路的面积,对EMI的按捺也比拟有用。


后沿尖峰的按捺体例

5、选用开关速率快的整流二极管

6、选用高导磁率的磁芯,变压器设想时激磁电流尽能够小

7、选用高磁通密度的资料,确保在卑劣情况下变压器不会饱和。可取B值为饱和值的一半或1/3

8、选用闭合磁路的罐形或PQ磁芯减小漏磁。

9、高频变压器绕制尽能够减小漏感。接纳夹心绕法或三武功绕法。绕线尽能够平均散布在骨架上。选用漆包线时要斟酌到趋肤效应。

10、在开关管的D-S之间并联RC接收回路。

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疾速规复整流二极管


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