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KIA原厂家mos场效应管 KNX8103A N沟道 30A /30V PDF文件下载-KIA官网

信息来历:本站 日期:2018-03-16 

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1、KNX8103A产物描写

KNX8103A最高机能沟槽N沟道MOSFET极度高的密度,为大大都的同步降压转换器,良好的导通电阻和栅极电荷利用,kia30n03b合适ROHS环保和绿色产物的请求,保障100% EAS全功效靠得住性承认。


2、KNX8103A产物特色

RDS(on) =15m? @ VDS =30V

进步前辈的高密度沟槽手艺

超等的

低栅极电荷

良好的CDV / dt效应递加

100% EAS保障

绿色的可用装备


3、KNX8103A产物利用

MB /铌/注重/ VGA负载同步Buck变更器高频点

收集化DC-DC电源体系

负荷开关


4、KNX8103A产物参数

产物型号:KNX8103A

任务体例:30A/30V

漏源电压:30V

栅源电压:±20A

泄电留连续:18A

脉冲漏极电流:60A

雪崩电流:21A

雪崩能量:72mJ

耗散功率:25W

热电阻:62℃/W

漏源击穿电压:30V

栅极阈值电压:0.023V/℃

温度系数:1.0V

输入电容:572PF

输入电容:81PF

回升时候:6.0ns

封装情势:TO-251、252


5、KNX8103A产物规格


KNX8103A N沟道MOSFET
产物编号 KNX8103A 30A/30V
产物描写 KNX8103A最高机能沟槽N沟道MOSFET极度高的密度,为大大都的同步降压转换器,良好的导通电阻和栅极电荷利用,kia30n03b合适ROHS环保和绿色产物的请求,保障100% EAS全功效靠得住性承认
产物特点

RDS(on) =15m? @ VDS =30V

进步前辈的高密度沟槽手艺

超等的

低栅极电荷

良好的CDV / dt效应递加

100% EAS保障

绿色的可用装备

合用规模

MB /铌/注重/ VGA负载同步Buck变更器高频点

收集化DC-DC电源体系

负荷开关

封装情势 TO-251、252
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厂家 KIA原厂家
网址 danandtravis.com
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