KIA原厂家mos场效应管 KIA50N03 N沟道 50A /30V PDF文件下载-KIA官网
信息来历：本站 日期：2018-03-14
VDSS =30V,R DS(on) =6.5mΩ,I D =50A
Vds=30V
RDS(ON) =6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
RDS(ON) =9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
进步前辈沟槽加工手艺
超低电阻高密度电池设想
充实表征雪崩电压和电流
产物型号：KIA50N03
任务体例：50A/30V
漏源电压：30V
栅源电压：±20A
泄电留连续：50A
脉冲漏极电流：200A
耗散功率：60W
热电阻：50℃/W
漏源击穿电压：30V
栅极阈值电压：1V
输入电容：1180PF
输入电容：270PF
回升时候：6ns
封装情势：TO-251、252/220
 |
KIA50N03 |
| 产物编号 | KIA50N03 50A/30V |
| 产物特点 |
进步前辈沟槽加工手艺 超低电阻高密度电池设想 充实表征雪崩电压和电流 |
| 封装情势 |
TO-251、252、220 |
| PDF文件 |
 【间接在线预览】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | danandtravis.com |
| PDF文件 | 总3页 |
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接洽德律风：0755-83888366-8022
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接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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