KND4820B现货供给商 KND4820B PDF文件下载 9A 200V参数材料-KIA 官网
信息来历：本站 日期：2018-03-08
1、利用
KND4820B通道加强型硅栅功率MOSFET的高电压设想，高速功率开关利用，如高效力开关电源，有源基于半桥拓扑布局的功率因数校订电子镇流器。
2、特点
专有的新立体手艺
RDS（ON），典范值= 250mΩ@ VGS = 10v
低门电荷最小化开关消耗
疾速规复体二极管
3、产物参数
产物型号：KND4820B
任务体例：9A/200V
漏源电压：200V
栅源电压：±20V
泄电留连续：9.0A
脉冲漏极电流：36A
雪崩能量：300mJ
耗散功率：83V
热电阻：75℃/W
漏源击穿电压：200V
栅极阈值电压：1.0V
输入电容：418PF
输入电容：94PF
回升时候：6.0ns
封装情势：TO-251、TO-252
4、产物规格
 |
KND4820B |
| 产物编号 | KND4820B 9A/200V |
| 产物特点 |
专有的新立体手艺 RDS（ON），典范值= 250mΩ@ VGS = 10v 低门电荷最小化开关消耗 疾速规复体二极管 |
| 合用规模 |
高速功率开关利用，如高效力开关电源，有源基于半桥拓扑布局的功率因数校订电子镇流器。 |
| 封装情势 | TO-251、TO-252 |
| PDF文件 |
【间接在线预览】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | danandtravis.com |
| PDF总页数 | 总8页 |
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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