尽人皆知，以后电子手艺的成长标的目的是：利用手艺高频化、硬件布局模块化、半导体器件智能化、节制手艺数字化和产物机能绿色化（对电网等无净化）。

模块化布局进步了产物的麋集性、宁静性和靠得住性，同时也可下降装配的出产本钱，延长产物进入市场的周期，进步企业在市场中的合作力。由于电路的连线已在模块外部完成，并接纳与PCB一样可刻蚀出各类图形布局的陶瓷覆铜板（DBC板），是以，大大延长了模块内元器件之间的连线，可完成优化布线和对称性布局的设想，使装配电路的寄生电感和电容值大大下降，有益于完成装配的高频化。另外，模块化布局与同容量分立器件布局比拟，还具备体积小、分量轻、布局松散、毗连线简略，便于掩护和装配等长处，因此大大减少变流装配的体积、下降装配的分量和本钱，进步了装配的效力和靠得住性。且模块的主电极端子、节制端子和帮助端子与模块铜底板之间具备2.5KV以上有用值的绝缘耐压，使之能与装配内各类差别模块配合装配在一个接地的散热器上，有益于装配体积的进一步减少，简化装配的布局设想。

20世纪80年月初，绝缘栅双极晶体管（IBGT）、功率MOS场效应管（POWER MOSFET）和集成门极换流晶闸管（IGCT）的研制胜利，并取得急剧成长和商品化，这不只对电力电子变流器向高频化成长供给了坚固的器件根本，同时，也为用电装备高频化（20KHZ以上）和高频装备固态化、为高效、节电、节能、节材，为完成机电一体化、小型化、轻量化和智能化供给了主要手艺根本。与此同时，给IGBT、功率MOSFET和IGCT等开关器件配套的，且不可贫乏的FRD和FRED器件也取得缓慢成长。由于跟着装配任务开关频次的进步，若不FRD和FRED给高频变频装配的开关器件作续流、接收、箝位、断绝、输入整流器和输入整流器的配套，那末IGBT、功率MOSFET和IGCT等高频开关器件就不能阐扬它们应有功效和怪异感化，这是由于FRED的关断特征参数（反向规复时候trr、反向规复电荷Qrr和反向峰值电流IRM）的感化而至，最好和适合参数的FRED、作为续流二极管与高频开关器件调和任务，使高频逆变电路内因开关器件换流所引发的过电压尖峰，高频搅扰电压和EMI搅扰可降至最低，也可下降功耗，使开关器件的功效取得充实的阐扬。

超快规复二极管模块(FRED)范例MEO，MEE，MEA和MEK(图1)是分立型DESEI向大电流的扩大，其特征稳定。它能够用在一切MOSFET，IGBT或双极性达林顿管电路中，任务频次要高于1kHz。

若是要用几个分立二极管井联成小模块，换用这些模块可减小装配时候和装备尺寸。普通FRED可用作大电流的IGBT或主动性达林顿管的续流二极管，或用作电源和焊接机的疾速整流管。上面是一系列超快规复二极管模块(FRED)的利用。

 A. 用作拖动和UPS体系中单相或三相逆变器的续流二极管，接纳PWM节制，开关频次高于1kHz(图1)。

B. 用作开关电源或伺服驱动的续流二极管

(a)利用MOSFET和肖特基阻断二极管的对称全侨电路(图2a))

(b)利用MOSFET的正激变更器和直流机电驱动的错误称全桥图(图2b))

C. 用作电源或焊接机的整流

全波整流电路(图4(a))中，按照负载电流的巨细，可挑选几个MEO模块并联。

共阴极拓朴(图4(b))中，按照负载电流的巨细，可挑选几个MEK模块井联。

共阳极拓朴(图4(c))中，按照负载电流的巨细，可挑选几个MEA模块并联。

全桥整流电路(图4(d))中，按照负载电流的巨细，可挑选几个MEE或MEO模块并联。

高压输入的全桥整流电路(图4(e))中，可利用两个MEE模块串连取得高阻断电压。

 一切的超快规复二极管模块(FRED)中持续直流电流IFAVM的数值是在散热器温度TS=65℃，结温TVJM=125℃(温差60℃)的前提下给出的。

如与别的产物比拟，要肯定两个模块的结芯与散热器温差相称，由于温差决议可流过的正向电流。

并且。超快规复二极管模块(FRED)的电流定额和阻断消耗都是在TVJ=125℃和占空比d=50%前提下的。

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