KIA4820参数目标

KIA4820加强型硅栅功率MOSFET的高电压设想，高速功率开关利用，如高效力开关电源，有源基于半桥拓扑布局的功率因数校订电子镇流器。

2、特点

专有的新立体手艺

RDS（ON），典范值= 250mΩ@ VGS = 10v

低门电荷削减开关消耗

疾速规复体二极管

3、参数目标

产物型号：KIA4820

任务体例：9A/200V

漏源电压：200V

栅源电压：±20V

泄电留连续：9A

脉冲漏极电流：36A

雪崩能量：300m

耗散功率：83W

热电阻：75℃/W

漏源击穿电压：200V

栅极阈值电压：1.0V

输入电容：418 PF

输入电容：94 PF

回升时候：6.0 ns

封装情势：TO-220、TO-252

	KIA4820
产物编号	KIA4820（9A 200V）
产物工艺	KIA4820b加强型硅栅功率MOSFET的高电压设想，高速功率开关利用，如高效力开关电源，有源基于半桥拓扑布局的功率因数校订电子镇流器
产物特点	专有的新立体手艺 RDS（ON），典范值= 250mΩ@ VGS = 10v 低门电荷削减开关消耗疾速规复体二极管
合用规模	首要合用于高速功率开关利用，如高效力开关电源，有源基于半桥拓扑布局的功率因数校订电子镇流器
封装情势	TO-220、TO-252
PDF文件	【间接在线预览】
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厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
PDF总页数	总8数