28N50现货供给商 KIA28N50-28A500V PDF文件 4360参数具体材料-KIA官网
信息来历：本站 日期：2018-02-09
这是功率MOSFET接纳进步前辈的立体条形DMOS工艺出产的起亚。这类进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减的阻力，供给优胜的开关机能，在雪崩和换流情势下蒙受高能量脉冲。这些装备很是合适于高效力开关电源，有源功率因数校订的根本上半桥拓扑。
KIA28N50特点
RDS（ON）= 0.17Ω@ VGS = 10v
低栅极电荷（典范的102nc）
疾速切换的才能
雪崩能量
改良的dt／dt才能
KIA28N50参数
产物型号：KIA28N50
任务体例：28A/500V
漏源电压：500V
栅源电压：±30V
泄电留连续：28A
脉冲漏极电流：112A
雪崩能量：1960mJ
耗散功率：479W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：500V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：4085 PF
输入电容：474 PF
回升时候：87ns
封装情势：TO-3P
 |
KIA28N50 |
| 产物编号 | KIA28N50（28A500V） |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产物工艺 |
功率MOSFET接纳进步前辈的立体条形DMOS工艺出产的起亚。这类进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减的阻力，供给优胜的开关机能，在雪崩和换流情势下蒙受高能量脉冲。 |
| 产物特点 |
RDS（ON）= 0.17Ω@ VGS = 10v 低栅极电荷（典范的102nc） 疾速切换的才能 雪崩能量 改良的dt／dt才能 |
| 合用规模 |
首要合用于高效力开关电源，有源功率因数校订的根本上半桥拓扑 |
| 封装情势 | TO-3P |
| PDF文件 |
 【间接在线预览】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | danandtravis.com |
| PDF总页数 | 总5页 |
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