KIA20N50现货供给商 KIA20N50 PDF文件 20A500V参数具体材料-KIA 官网
信息来历：本站 日期：2018-02-09
KIA20N50特点
RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V
低栅极电荷（典范的70nc）
疾速切换的才能
雪崩能量
改良的dt／dt才能
KIA20N50参数
产物型号：KIA20N50
任务体例：20A/500V
漏源电压：500V
栅源电压：±30V
泄电留连续：13A
脉冲漏极电流：80A
雪崩能量：110mJ
耗散功率：41.5W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：500V
温度系数：0.5V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：2700 PF
输入电容：400 PF
回升时候：400 ns
封装情势：TO-247、TO-220F、TO-3P
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KIA20N50/HF/HH/HM |
| 产物编号 | KIA20N50（20A 500V） |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产物特点 |
RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V 低栅极电荷（典范的70nc） 疾速切换的才能 雪崩能量 改良的dt／dt才能 |
| 合用规模 |
首要合用于为高电压，高速功率开关利用，如高效力开关电源，有源功率因数校订。 |
| 封装情势 | TO-220F、TO-247、TO-3P |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | |
| PDF总页数 | 总5页 |
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接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
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