KIA6035参数目标

这是功率MOSFET接纳起亚`立体条形DMOS工艺出产的进步前辈。这进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的。开关机能，在雪崩和换相情势下蒙受高能量脉冲。这些器件很是合用于高效力开关电源，有源功率因数校订。基于半桥拓扑。

特点

RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v

低栅极电荷（典范的15nc）

高耐用性

疾速切换的才能

雪崩能量

改良的dt／dt才能

参数

产物型号：KIA6035

任务体例：11A/350V

漏源电压：350V

栅源电压：±20V

泄电留连续：11A

脉冲漏极电流：36A

雪崩电流：9.91mJ

雪崩能量：423mJ

耗散功率：99W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：350V

温度系数：0.35V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：844 PF

输入电容：162 PF

回升时候：23.5 ns

封装情势：TO-252、TO-220

	KIA6035/AD/AP
产物编号	KIA6035(11A 350V）
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	这是功率MOSFET接纳起亚`立体条形DMOS工艺出产的进步前辈。这进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的。开关机能，在雪崩和换相情势下蒙受高能量脉冲。
产物特点	RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v 低栅极电荷（典范的15nc）高耐用性疾速切换的才能雪崩能量改良的dt／dt才能
合用规模	首要合用于高效力开关电源，有源功率因数校订，基于半桥拓扑
封装情势	TO-252、TO-220
PDF文件	【间接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
PDF总页数	总5页