KIA3N80参数

KIA3n80hN沟道加强型硅栅功率MOSFET的设想对高电压，高速功率开关利用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，机电驱动器，继电器驱动法式。

特点

RDS(on)=4.8Ω @ VGS=10V

低栅极电荷（典范的13nc）

高耐用性

疾速切换的才能

雪崩能量

改良的dt／dt才能

参数

产物型号：KIA3N80

任务体例：3.0A/800V

漏源电压：800V

栅源电压：±30V

泄电留连续：3A

脉冲漏极电流：12A

雪崩能量：320mJ

耗散功率：39W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：800V

温度系数：1V/℃

栅极阈值电压：3.0V

输入电容：543 PF

输入电容：54 PF

回升时候：43.5 ns

封装情势：TO-220F

	KIA3N80
产物编号	KIA3M80（3.0A 800V）
FET极性	N沟道MOSFET
产物特点	RDS(on)=4.8Ω @ VGS=10V 低栅极电荷（典范的13nc）高耐用性疾速切换的才能雪崩能量改良的dt／dt才能
合用规模	KIA3n80hN沟道加强型硅栅功率MOSFET的设想对高电压，高速功率开关利用，如开关稳压器，开关转换器，螺线管，机电驱动器，继电器驱动法式。
封装情势	TO-220F
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厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
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