KIA16N50参数目标

功率MOSFET接纳进步前辈的立体条形DMOS工艺出产的起亚。这类进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的开关。机能，在雪崩和换流情势下蒙受高能量脉冲。这些装备很是合适于高效力开关电源，有源功率因数校订的根本上半桥拓扑。

KIA16N50特点

RDS（ON）= 0.32Ω@ VGS = 10v

低栅极电荷（典范的45nc）

疾速切换的才能

雪崩能量

改良的dt／dt才能

KIA16N50利用

高效力开关电源，有源功率因数校订的根本上半桥拓扑。

参数目标

产物型号：KIA16N50

任务体例：16A/500V

漏源电压：500V

栅源电压：±30V

泄电留连续：16*A

雪崩能量：853mJ

功率耗费：38.5W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：38.5V

栅极阈值电压：3.0V

输入电容：2200 PF

输入电容：350 PF

回升时候：170 ns

封装情势：TO-220F、TO-3P、TO-247

	KIA16N50（16A 500V）
产物编号	KIA16N50HF/HH/HM
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	功率MOSFET接纳进步前辈的立体条形DMOS工艺出产的起亚。这类进步前辈的手艺已出格定制，以尽可能削减对国度的阻力，供给优胜的开关。机能，在雪崩和换流情势下蒙受高能量脉冲。这些装备很是合适于高效力开关电源，有源功率因数校订的根本上半桥拓扑。
产物特点	RDS（ON）= 0.32Ω@ VGS = 10v 低栅极电荷（典范的45nc）疾速切换的才能雪崩能量改良的dt／dt才能
合用规模	首要合用于高效力开关电源，有源功率因数校订的根本上半桥拓扑
封装情势	TO-220F、TO-3P、TO-247
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LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
PDF页总数	总6页