KIA5610参数

KIA5610机能最高的N沟道MOSFET沟道的极度高密度，它供给了大局部的同步降压转换器利用良好的导通电阻和栅极电荷。KIA5610合适ROHS环保和绿色产物的请求，100% EAS功效完整保障靠得住性的核准。

KIA5610特点

RDS（ON=310mΩ@VGS=10v

进步前辈的高密度沟槽手艺

超低栅电荷

良好的CDV / dt效应desline

绿色的可用装备

KIA5610应用

高频点同步降压变更器

收集化DC-DC电源体系

负荷开关

产物型号：KIA5610

任务体例：5.4A/100V

漏源电压：100V

栅源电压：±20V

泄电留连续：5.4A

脉冲漏极电流：11A

耗散功率：20.8W

热电阻：62℃/W

漏源击穿电压：100V

温度系数：0.0672/℃

栅极阈值电压：1.0V

输入电容：508 PF

输入电容：29 PF

回升时候：30.6 ns

封装情势：TO-251

	KIA5610（5.4A/100V）
产物编号	KIA5610/B/BU
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	kia5610机能最高的N沟道MOSFET沟道的极度高密度，它供给了大局部的同步降压转换器利用良好的导通电阻和栅极电荷。的kia5610合适ROHS环保和绿色产物的请求，100% EAS功效完整保障靠得住性的核准。
产物特点	RDS（ON=310mΩ@VGS=10v 进步前辈的高密度沟槽手艺超低栅电荷良好的CDV / dt效应desline 绿色的可用装备
合用规模	合用于高频点同步降压变更器收集化DC-DC电源体系负荷开关
封装情势	TO-251
PDF文件	【间接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	danandtravis.com
PDF总页数	总5页