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【KIA 原厂】KNC2404A 40V/190A 低内阻 MOSFET

信息来历:本站 日期:2026-05-29 

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【KIA 原厂】KNC2404A 40V/190A 低内阻 MOSFET

TO-252-7 大散热封装|2.2mΩ 低内阻|190A 大电流|高雪崩|原厂直供

KNC2404A

KIA KNC2404A 190A/40V N沟道MOSFET 规格参数
一、产物焦点特征
低导通电阻 Rds(on)=2.2mΩ(典范值)@VGS=10V
环保特征 无铅绿色器件,合适RoHS规范
机能上风 极低导通消耗,高雪崩电流才能
二、典范利用处景
利用范畴 电源供给器、DC-DC转换器、产业节制
三、引脚设置装备摆设(TO-252-7封装)
引脚1 Gate(栅极)
引脚2/3/5/6/7 Source(源极)
引脚4 Drain(漏极)
四、相对最大额外值
漏源电压VDS 40V
栅源电压VGS ±25V
持续漏极电流ID(Tc=25℃) 硅限定:190A
封装限定:120A
持续漏极电流ID(Tc=100℃) 109A
脉冲漏极电流IDP 480A
雪崩电流IAS(L=0.5mH) 46A
单脉冲雪崩能量EAS(L=0.5mH) 529mJ
功耗PD(Tc=25℃) 123W
功耗PD(Tc=100℃) 82W
存储/任务结温规模 -55℃~+150℃
五、热特征参数
结-壳热阻RθJC 1.02℃/W(典范值)
结-情况热阻RθJA 80℃/W(典范值)
六、电气特征参数(TA=25℃)
漏源击穿电压BVdss 40V(最小值,VGS=0V,IDS=250μA)
零栅压漏极电流IDSS ≤1μA(最大值,VDS=64V,VGS=0V)
栅极阈值电压VGS(th) 2~4V(最小值/最大值,VDS=VGS,IDS=250μA)
栅极泄电流IGSS ±100nA(最大值,VGS=±25V,VDS=0V)
导通电阻Rds(on) 2.2~3.5mΩ(典范2.2mΩ,VGS=10V,IDS=30A)
正向跨导Gfs 135S(典范值,VDS=5V,ID=40A)
体二极管正向压降VSD 0.9~1.3V(典范/最大值,ISD=40A,VGS=0V)
体二极管持续正向电流IS ≤190A(最大值)
反向规复时候trr ≤55ns(最大值,IS=40A,dl/dt=100A/μs)
反向规复电荷Qrr ≤70nC(最大值,同上前提)
栅极串连电阻RG 2.0Ω(典范值,VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz)
输入电容Ciss 6010pF(典范值,VGS=0V,VDS=25V,F=1MHz)
输入电容Coss 1400pF(典范值,同上前提)
反向传输电容Crss 675pF(典范值,同上前提)
守旧提早时候td(on) 25ns(典范值,VDD=25V,ID=90A,VGS=10V,RG=2.7Ω)
回升时候tr 102ns(典范值,同上前提)
关断提早时候td(off) 62ns(典范值,同上前提)
降落时候tf 84ns(典范值,同上前提)
总栅极电荷Qg 150nC(典范值,VDS=40V,VGS=10V,ID=32A,F=1MHz)
栅源电荷Qgs 32nC(典范值,同上前提)
栅泄电荷Qgd 70nC(典范值,同上前提)
七、典范特征曲线申明
输入特征曲线 展现差别VGS下ID与VDS的干系,表现低内阻特征
转移特征曲线 展现差别温度下ID与VGS的干系,表现温度不变性
Rds(on)特征曲线 展现Rds(on)随ID、VGS、温度的变更趋向
电容特征曲线 展现Ciss/Coss/Crss随VDS的变更趋向
栅极电荷特征曲线 展现VGS随Qg的变更,表现开关驱动特征
体二极管特征曲线 展现差别温度下正向电流与压降的干系
功耗与电流降额曲线 展现器件功耗与电流随壳温的变更限定
宁静任务区(SOA)曲线 展现差别脉冲宽度下ID与VDS的宁静任务规模
瞬态热阻抗曲线 展现差别占空比下器件的热阻抗特征


一、KNC2404A 产物根本信息

产物型号 KNC2404A
封装情势 TO-252-7(7脚贴片大功率封装)
产物范例 N沟道加强型MOSFET
焦点规格 40V 190A 超低内阻MOS管

二、支流产物平替型号对照表(同规格可替换)

KNC2404A

品牌 竞品型号 对应规格
万代AOS AON6414 40V 180A 低内阻
万代AOS AON6512 40V 120A 通用对标
英飞凌 IRL3803 30V 140A 耐压偏低
英飞凌 IRLMS3803 30V 160A 小体积
安森美 NTMFS4C06 40V 100A 惯例款
国产通用 AP2404 40V 120A 通用型
国产通用 CS2404 40V 120A 惯例内阻
国产通用 HY2404 40V 120A 规范款
三、焦点参数上风对照
参数名目 KNC2404A 竞品均匀程度
耐压VDS 40V 30V-40V
持续电流ID 190A(硅) / 120A(封装) 100A-140A
导通电阻 2.2mΩ@10V ≥2.8mΩ
雪崩能量EAS 529mJ ≤300mJ
封装布局 TO-252-7 大散热 通俗TO-252 散热弱
靠得住性 100%雪崩测试 局部批次测试
四、官网官方KNC2404A先容
型号 KNC2404A(TO-252-7)
短标题 40V190A大功率MOSFET 低内阻大电流
产物卖点 TO-252-7七脚贴片封装
2.2mΩ超低导通电阻
190A超大电流承载才能
529mJ高雪崩能量
发烧低、消耗小、寿命长
散热布局进级 不变性更强
合用处景 大功率电源、DC-DC转换器
机电驱动、电池掩护板
产业节制、光伏储能模块
大功率快充、逆变器装备
宣扬标语 国产替换优选 大电流MOS管标杆
交期不变 价钱上风 原厂直供
五、痛点处理计划
客户痛点 我司产物处理计划
电流缺乏带载弱 190A大电流 知足大功率需要
内阻高发烫严峻 2.2mΩ超低内阻 温升更低
入口货期长价高 国产原厂 现货不变 性价比高
散热差易炸管 TO-252-7封装 散热布局强化

接洽体例:邹师长教师

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KNC2404A

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