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KIA3401 替换 AO3401 NCE3401 NDS3401

信息来历：本站　日期：2026-05-15　

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KIA3401 替换 AO3401 NCE3401 NDS3401

-30V-4A P 沟道 MOS 管 引脚 1:1 兼容 本钱降 50%


KIA3401


KIA3401 -4.0A -30V P沟道MOSFET 规格参数

1. 产物描写

KIA3401接纳进步前辈沟槽手艺，供给超卓的导通电阻、低栅极电荷，

撑持低至2.5V的栅极电压任务。该器件合用于负载开关或PWM利用。

规范产物无铅，合适RoHS和索尼259规范，供给绿色产物订购选项。

2. 焦点特征

  • 漏源电压 VDS = -30V
  • 持续漏极电流 ID = -4.0A
  • RDS(ON) < 60mΩ @ VGS=-10V, ID=-4.0A
  • RDS(ON) < 70mΩ @ VGS=-4.5V, ID=-3.5A
  • RDS(ON) < 100mΩ @ VGS=-2.5V, ID=-1.2A
  • 低栅极电荷，疾速开关
  • 撑持2.5V低栅压驱动
  • 无铅环保，合适RoHS规范

3. 典范利用

  • 负载开关 (Load Switch)
  • PWM 利用
  • 便携式电子装备电源
  • 电池办理体系
  • 高压电源转换
  • 花费类电子产物

KIA3401 -30V/-4A P沟道MOSFET 产物概况


产物简介：KIA3401是一款接纳进步前辈沟槽手艺的高机能P沟道MOSFET，

规范SOT-23封装，具有-30V耐压、-4A持续电流、60mΩ低导通电阻与

9nC低栅极电荷，撑持2.5V低栅压驱动，专为负载开关、PWM节制和便携式电子装备设想。

焦点上风：2.5V低栅压驱动｜60mΩ低内阻｜9nC低栅极电荷｜SOT-23小体积｜宽温产业级｜RoHS合规

封装选型：KIA3401(SOT-23) 通用小体积贴片

KIA3401


一、封装选型指南

定货型号 封装情势 合用场景
KIA3401 SOT-23 负载开关、PWM节制、便携式装备、电池办理、花费电子

二、行业竞品对标表（1:1兼容 无需改板）

品牌 竞品型号 兼容封装 焦点对标参数 KIA3401上风
新洁能 NCE3401 SOT-23 -30V/-4A 65mΩ 导通电阻更低，发烧更小
AOS AO3401 SOT-23 -30V/-4A 入口 本钱降落50%，交期不变
安森美 NDS3401 SOT-23 -30V/-4A 入口 机能相称，价钱上风较着
意法半导体 STS3401 SOT-23 -30V/-3.5A 70mΩ 电流更大，承载才能更强

三、相对最大额外值（TA=25℃）

参数 标记 额外值 单元
漏源电压 VDSS -30 V
栅源电压 VGSS ±12 V
持续漏极电流(25℃) ID -4.0 A
脉冲漏极电流 IDM -25 A
总耗散功率 PD 1.2 W
任务结温 TJ -55~+150 ℃

四、热特征参数

参数 标记 Max 单元
结到情况热阻(瞬态) RθJA 104 ℃/W

五、焦点电气特征（TA=25℃）

参数 标记 测试前提 典范值 单元
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=-250μA -30 V
栅极阈值电压 VGS(th) VDS=VGS,ID=-250μA -1.0 V
漏源导通电阻 RDS(on) VGS=-10V,ID=-4.0A 60 mΩ
总栅极电荷 Qg VDS=-15V,ID=-4.0A,VGS=-4.5V 9.0 nC
反向规复时候 trr IF=-4A,di/dt=100A/μs 20.2 ns
体二极管正向电压 VSD IS=-1A,VGS=0V 1.2 V


备注：
1) 脉冲测试：脉冲宽度 < 300μs，占空比 ≤ 2%
2) 产物合适RoHS环保规范，无铅无卤



4. 引脚界说 (SOT-23)

引脚号 功效
1 Gate (栅极)
2 Source (源极)
3 Drain (漏极)

5. 相对最大额外值 (TA=25℃ 除非还有申明)

参数 标记 额外值 单元
漏源电压 VDSS -30 V
栅源电压 VGSS ±12 V
持续漏极电流 (TA=25℃) ID -4.0 A
脉冲漏极电流 IDM -25 A
总耗散功率 (TA=25℃) PD 1.2 W
任务结温/存储温度规模 TJ, TSTG -55 ~ +150 ℃

6. 热特征参数

参数 标记 Typ Max 单元
结到情况热阻 (t≤5s) RθJA - 104 ℃/W

7. 电气特征 (TA=25℃ 除非还有申明)

参数 标记 测试前提 Min Typ Max 单元
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=-250μA -30 - - V
零栅压泄电流 IDSS VDS=-24V, VGS=0V - - -1 μA
栅体泄电流 IGSS VGS=±12V, VDS=0V - - ±100 nA
栅极阈值电压 VGS(th) VDS=VGS, ID=-250μA -0.6 -1 -1.3 V
导通态漏极电流 ID(on) VGS=-4.5V, VDS=-5V -25 - - A
VGS=-10V, ID=-4.0A -55 - 60
静态漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=-10V, ID=-4.0A - - 60 mΩ
VGS=-4.5V, ID=-3.5A - - 70
VGS=-2.5V, ID=-1.2A - - 100
正向跨导 gfs VDS=-5.0V, ID=-4.0A 7 10 - S
二极管正向电压 VSD VGS=0V, IS=-1A - - -1.2 V
静态特征 (Dynamic characteristics)
输入电容 Ciss VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz - 951 - pF
输入电容 Coss - 115 -
反向传输电容 Crss - 77 -
栅极电阻 Rg VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz - 6 - Ω
总栅极电荷 Qg VDS=-15V, VGS=-4.5V, ID=-4.0A - 9.0 - nC
栅源电荷 Qgs - 1.6 -
栅泄电荷 Qgd - 3.0 -
开关特征 (Switching Characteristics)
守旧提早时候 td(on) VDS=-15V, ID=-4A, RGEN=6Ω, VGS=-10V - 7.0 - ns
回升时候 tr - 3.0 -
关断提早时候 td(off) - 30 -
降落时候 tf - 12 -
反向规复时候 trr IF=-4A, dI/dt=100A/μs - 20.2 - ns
反向规复电荷 Qrr - 11.2 - nC


备注：
a) 脉冲测试：脉冲宽度 < 300μs，占空比 ≤ 2%
b) 这些参数没法经由过程出产测试考证

接洽体例：邹师长教师

座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519（手艺群，也能够加这个qq）

接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KIA3401

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