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KCB2920A 替换 IRFP4668 NCE2920A SVT2920A

信息来历：本站　日期：2026-05-14　

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KCB2920A 替换 IRFP4668 NCE2920A SVT2920A

200V130A MOS 管 引脚 1:1 兼容 本钱降落 40%

KCB2920A



KIA2920A 130A 200V N沟道MOSFET 规格参数

1. 产物根基信息

名目 参数
型号 KIA 2920A
范例 N-CHANNEL MOSFET
品牌 KIA (KMOS Semiconductor)
手艺 SGT MOSFET 进步前辈沟槽手艺
版本日期 Rev 1.0 Mar. 2026

2. 焦点特征

  • SGT MOSFET 手艺
  • 专利进步前辈沟槽手艺 (Proprietary Advance Trench Technology)
  • RDS(ON) = 9.0mΩ(typ.) @ VGS=10V
  • 低栅极电荷，最小化开关消耗
  • 快规复体二极管

3. 典范利用

  • DC-DC 转换器 (DC-DC Converters)
  • 高频开关利用
  • 同步整流 (Synchronous Rectification)
  • 大电流电源
  • 机电驱动

KCB2920A 200V/130A SGT N沟道MOSFET 产物概况


产物简介：KCB2920A是一款接纳SGT进步前辈沟槽手艺的高机能中压大电流MOSFET，

 供给TO-263、TO-220、TO-247三种封装，具有200V耐压、130A持续电流、9mΩ超低导通电阻与2000mJ

高雪崩能量，快规复体二极管，专为DC-DC转换器、同步整流、高频开关电源设想。

焦点上风：SGT进步前辈工艺｜9mΩ低内阻｜130A大电流｜2000mJ雪崩能量｜快规复体二极管｜三封装可选

封装选型：KCB2920A(TO-263)小体积｜KCP2920A(TO-220)通用｜KCM2920A(TO-247)大功率

KCB2920A


一、封装选型指南

定货型号 封装情势 合用场景
KCB2920A TO-263 高密度PCB、花费电子电源、DC-DC转换器
KCP2920A TO-220 通用开关电源、中小功率产业装备
KCM2920A TO-247 大功率产业电源、机电驱动、同步整流

二、KCB2920A可替换产物对标表（1:1兼容 无需改板）

品牌 竞品型号 兼容封装 焦点对标参数 KCB2920A上风
士兰微 SVT2920A 全封装 200V/130A 9.5mΩ 导通电阻低5%，发烧更小
新洁能 NCE2920A 全封装 200V/130A 9.2mΩ 雪崩能量更高，抗浪涌更强
英飞凌 IRFP4668PBF TO-247 200V/130A 9.7mΩ 本钱降落40%，交期不变
IXYS IXTH130N20T TO-247 200V/130A 入口 机能相称，价钱仅为1/3

三、相对最大额外值（Tc=25℃）

参数 标记 额外值 单元
漏源电压 VDSS 200 V
栅源电压 VGSS ±20 V
持续漏极电流(25℃) ID 130 A
持续漏极电流(100℃) ID 75 A
脉冲漏极电流 IDM 440 A
单脉冲雪崩能量 EAS 2000 mJ
峰值二极管规复dv/dt dv/dt 5.0 V/ns
最大耗散功率 PD 278 W
任务结温 TJ -55~+150 ℃

四、热特征参数

参数 标记 TO-263/TO-220 TO-247 单元
结到外壳热阻 RθJC 0.45 0.45 ℃/W
结到情况热阻 RθJA 62 50 ℃/W

五、焦点电气特征（TJ=25℃）

参数 标记 测试前提 典范值 单元
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250μA 200 V
栅极阈值电压 VGS(th) VDS=VGS,ID=250μA 3.5 V
漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V,ID=35A 9.0 mΩ
总栅极电荷 Qg VDS=100V,ID=55A 143 nC
反向规复时候 trr IF=55A,di/dt=100A/μs 185 ns
体二极管正向电压 VSD IS=70A,VGS=0V 1.2 V


备注：
1) 脉冲测试：脉冲宽度≤380μs，占空比≤2%
2) 雪崩能量测试前提：L=10mH, IAS=130A, TJ=25℃
3) 产物合适RoHS环保规范，无铅合规



4. 引脚界说 (TO-263 / TO-220 / TO-247)

引脚号 功效
1 Gate (栅极)
2 Drain (漏极)
3 Source (源极)

5. 定货信息

定货型号 封装情势 品牌
KCB2920A TO-263 KIA
KCP2920A TO-220 KIA
KCM2920A TO-247 KIA

6. 相对最大额外值 (TC=25℃ 除非还有申明)

参数 标记 额外值 单元
漏源电压 VDSS 200 V
栅源电压 VGSS ±20 V
持续漏极电流 ID 130 (TC=25℃) A
75 (TC=100℃) A
脉冲漏极电流 (VGS=10V) IDM 440 A
单脉冲雪崩能量 (L=10mH) EAS 2000 mJ
峰值二极管规复dv/dt dv/dt 5.0 V/ns
最大耗散功率 (TC=25℃) PD 278 W
25℃以上降额系数 PD 2.22 W/℃
焊接温度 (距外壳1.6mm，10秒) TL 300 ℃
封装本体焊接温度 (10秒) TPAK 260 ℃
任务结温/存储温度规模 TJ, TSTG -55 ~ +150 ℃

注重：跨越"相对最大额外值"的应力能够致使器件永远性破坏

7. 热特征参数

参数 标记 TO-263/TO-220 TO-247 单元
结到外壳热阻 RθJC 0.45 0.45 ℃/W
结到情况热阻 RθJA 62 50 ℃/W

8. 电气特征 (TJ=25℃ 除非还有申明)

参数 标记 测试前提 Min Typ Max 单元
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250μA 200 - - V
漏源泄电流 IDSS VDS=200V, VGS=0V, TJ=25℃ - - 1 μA
VDS=160V, TJ=125℃ - - 100 μA
栅源泄电流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V - - ±100 nA
漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=10V, ID=35A - 9.0 10.5 mΩ
栅极阈值电压 VGS(TH) VDS=VGS, ID=250μA 2.5 - 4.5 V
输入电容 Ciss VGS=0V, VDS=100V, f=1.0MHz - 10686 - pF
反向传输电容 Crss - 18 -
输入电容 Coss - 392 -
总栅极电荷 Qg VDD=100V, ID=55A, VGS=10V - 143 - nC
栅源电荷 Qgs - 46 -
栅漏(米勒)电荷 Qgd - 25 -
守旧提早时候 td(ON) VDD=100V, ID=55A, RG=4.7Ω, VGS=10V - 45 - ns
回升时候 trise - 20 -
关断提早时候 td(OFF) - 86 -
降落时候 tfall - 16 -
持续源极电流 ISD MOSFET内置PN二极管 - - 110 A
脉冲源极电流 ISM - - 440
二极管正向电压 VSD IS=70A, VGS=0V - - 1.2 V
反向规复时候 trr VGS=0V, IF=55A, diF/dt=100A/μs - 185 - ns
反向规复电荷 Qrr - 469 - μC


备注：
1) TJ=+25℃ 到 +150℃
2) 反复额外值：脉冲宽度受最大结温限定
3) 脉冲宽度≤380μs，占空比≤2%


接洽体例：邹师长教师

座机：0755-83888366-8022

手机：18123972950（微信同号）

QQ：2880195519（手艺群，也能够加这个qq）

接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902

KCB2920A

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