KIA40N06参数

kia40n06b最高机能的沟道MOSFET与极度高细胞密度，为大大都的同步降压转换器，良好的导通电阻和栅极电荷利用，kia40n06b合适ROHS环保和绿色产物的请求，保障100% EAS全功效靠得住性认证。

特色：

RDS(on) =18mΩ @ VDS=60V

进步前辈的高密度沟槽手艺

超等Low Gate Charge

良好的CDV / dt效应递加

100% EAS保障

绿色的可用装备

利用：

MB /铌/VGA负载同步Buck变更器高频点

收集化DC-DC电源体系

液晶/ LED背光灯

产物型号：KIA40N06

任务体例：38A、60V

漏流电压：60V

栅源电压（持续）：±20V

持续泄电流：38A

脉冲漏极电流：80A

雪崩能量：28A

热电阻：62℃/W

漏源击穿电压：60V

温度系数：0.057

栅极阈值电压：1.2V

输入电容：2423 PF

输入电容：145 PF

回升时候：2.2 ns

封装情势：TO-251、TO-252

	KIA 40N06(38A 60V)
产物编号	KIA40N06BD/BU
FET极性	N沟道MOSFET
产物工艺	kia40n06b最高机能的沟道MOSFET与极度高细胞密度，为大大都的同步降压转换器，良好的导通电阻和栅极电荷利用，kia40n06b合适ROHS环保和绿色产物的请求，保障100% EAS全功效靠得住性认证。
产物特点	RDS(on) =18mΩ @ VDS=60V 进步前辈的高密度沟槽手艺超等Low Gate Charge 良好的CDV / dt效应递加 100% EAS保障绿色的可用装备
合用规模	首要利用于MB /铌/VGA负载同步Buck变更器高频点收集化DC-DC电源体系液晶/ LED背光灯
封装情势	TO-251、TO-252
PDF文件	【间接在线预览】
LOGO
厂家	KIA 原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF总页数	总5页