IRF740参数目标

IRF740属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF740为设想者供给了转换疾速、坚忍耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。

新系列的低电荷PowerMOSFETIRF740LC则具备比传统MOSFETs较着更低的栅电荷。操纵新型的LCDMOS手艺，IRF740LC机能获得加强且无需增添额定的本钱，简化了栅极动需要，从而节流了体系整体开消。另外，在大批的高频操纵中，IRF740LC削减了转换消耗，效力获得强化。

TO-220封装的IRF740遍及合用于功耗在50W摆布的工贸易操纵，低热阻和低本钱的TO-220封装，使IRF740获得业内的遍及承认。SMD-220封装的IRF740合用于贴片装置，比起现有的任何其余贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。IRF740的SMD-220封装可顺应高强度电流的操纵。

2、IRF740特点

静态dv/dt率

可规复性雪崩测定

疾速转换速度

并行简略单纯

仅需简略驱动

超低栅电荷 - IRF740LC

加强VGS品级 30 V - IRF740LC

极高任务频次 - IRF740LC

无铅环保

3、产物参数

晶体管极性:N沟道

漏极电流, Id 最大值: 10A (at 25℃)

电压, Vgs 最大:20V

开态电阻, Rds(on): 典范值 0.48Ω

（Vgs=10V，Id=5.3A）

电压Vds 最高:400V

功耗:2.5W

功率温度:25°C

4、IRF730产物参考

PartNumbe	VDss(V)	ID（A）	MaxRDS(ON) @60%ID(Ω)	Typical RD（ON）@60%ID（Ω）
IRF630	200	9.5	300	23.3
IRF024	60	14	0.10	25
IRF634	250	8.1	0.45	41
IRF830	500	4.5	1.5	38
IRF840	500	8.0	0.85	63
IRF7811	30	14	14	17
IRF530	100	14	0.16	26
IRF7413	30	13	11	44