20N50现货供给商 KIA20N50 PDF 20N50参数具体材料-KIA 官网

信息来历：本站　日期：2018-01-19　

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KIA20n50h N沟道加强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关利用，如高效力开关电源，有源功率因数校订。

产物型号：KIA 20N50

漏极至源极电压（VDSS）：500V

栅源电压（VGSS）：±30V

漏极电流（持续）（lD）：20A

耗散功率（PD）：41W/0.33W/℃

任务温度：+150/℃

击穿电压温度：0.5V/℃

输出电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1MHz

回升时候：VDD=250V，ID=20A，RG=25Ω

封装情势：TO-220F、TO-247、TO-3P

RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v

Lowgate charge ( typical 70nC)

疾速切换的才能

雪崩能量

改良的dt／dt才能

	20N50（20A 500V）
产物编号	KIA20N50/C/HF/HH/HM
产物工艺	kia20n50h N沟道加强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关利用，如高效力开关电源，有源功率因数校订。
沟道	N沟道MOSFET
特点	RDS（on）= 0.21Ω@ V GS = 10v Lowgate charge ( typical 70nC) 疾速切换的才能雪崩能量改良的dt／dt才能
合用规模	首要合用于高电压，高速功率开关利用，如高效力开关电源，有源功率因数校订
封装情势	TO-220F、TO-247、TO-3P
PDF文件	【间接在线预览】
厂家	KIA 原厂家
LOGO
网址	danandtravis.com
PDF总页数	总5页数