KIA13N50 N沟道加强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关利用，如高效力开关电源，基于半桥拓扑布局的有源功率因数校订电子镇流器。

产物编号：KIA13N50

漏极至源极电压（VDSS）：500V

栅源电压（VGSS）：±30V

漏极电流（持续）（lD）：13A

耗散功率（PD）：195W

任务温度：±150℃

击穿电压温度：0.5/℃

输出电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz

回升时候：VDD=250V，ID=13A，RG=25Ω

RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v

低栅极电荷（典范的45nc）

疾速切换的才能

雪崩能量

改良的dt／dt才能

	13N50（13A 500V）
产物编号	KIA13N50/A/HB/HF/HP/UF/TH
沟道	MOSFET N沟道
封装情势	TO-220、TO220F、TO-263
产物工艺	13N50 N沟道加强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关利用，如高效力开关电源，基于半桥拓扑布局的有源功率因数校订电子镇流器
产物特点	RDS（ON）= 0.4Ω@ V GS = 10v 低栅极电荷（典范的45nc）疾速切换的才能雪崩能量改良的dt／dt才能
合用规模	首要合用于高电压，高速功率开关利用，如高效力开关电源，基于半桥拓扑布局的有源功率因数校订电子镇流器
PDF文件	【间接在线预览】
厂家	KIA 原厂家
LOGO
网址	danandtravis.com
PDF总页数	总5页数