10N60现货供给商 KIA10N60 PDF下载 10N60参数设置装备摆设对照-KIA 官网
信息来历：本站 日期：2018-01-17
N沟道加强型硅栅功率MOSFET的设想用于高压、高速功率开关利用，如高效力开关电源，有源功率因数校订电子镇流器基于半桥拓扑。
2、特点
RD= 0.6@ V GS = 10v
低栅极电荷（典范的44nc）
疾速切换的才能
雪崩能量
改良的dt／dt才能
漏源反向电压（vds)： 600
栅源反向电压（vgs)：30
泄电流（持续）:TC=250C
总功耗:TC=25oC、PD=50 W
结温:TJ+150oC
储藏温度~ STG - 55 + 150oC
封装情势：TO-220F
3、KIA10N06产物规格
 |
10N60（9.5A 100V） |
| 产物编号 | KIA10N60H |
| 产物工艺 |
10N60 N沟道加强型硅栅功率MOSFET的设想用于高压、高速功率开关利用，如高效力开关电源，有源功率因数校订电子镇流器基于半桥拓扑 |
| 特点 |
RD= 0.6?@ V GS = 10v 低栅极电荷（典范的44nc） 疾速切换的才能 雪崩能量 改良的dt／dt才能 |
| 合用规模 |
该产物合用于高速开关电源，PWM机电节制，高效力的DC至DC转换器和桥电路 |
| 封装情势 | TO-220F |
| PDF文件 |
 【间接预览】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA 原厂家 |
| 网址 | danandtravis.com |
| PEF总页数 | 总5页 |
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
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