mos管防反接掩护电路宁静办法-手艺处置计划大全

信息来历：本站　日期：2017-12-19　

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1.凡是环境下直流电源输出防反接掩护电路是利用二极管的单向导电性来结束防反接掩护。以下图1示：

这类接法简单靠得住，但当输出大电流的环境下功耗影响长短常大的。以输出电流额外值到达2A,如选用Onsemi的疾速规复二极管 MUR3020PT，额外管压降为0.7V，那末功耗最少也要到达：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，如许功率低，发烧量大，要加散热器。

2.其余还能够用二极管桥对输出做整流，如许电路就永远有准确的极性(图2)。这些计划的错误谬误是，二极管上的压降会耗损能量。输出电流为2A时，图1中的电路功耗为1.4W，图2中电路的功耗为2.8W。

图1

图1 一只串连二极管掩护体系不受反向极性影响，二极管有0.7V的压降

图2

图2 是一个桥式整流器，不管甚么极性都能够一般功课，可是有两个二极管导通，功耗是图1的两倍

MOS管型防反接掩护电路

图3利用了MOS管的开关特征，节制电路的导通和断开来计划防反接掩护电路，因为功率MOS管的内阻很小，此刻 MOSFET Rds（on）现已能够做到毫欧级，处置了现有选用二极管电源防反接计划存在的压降和功耗过大的题目。

极性反接掩护将掩护用处效应管与被掩护电路串连连接。掩护用处效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极别离连接被掩护电路的接地端和电源端，其漏极连接被掩护电路中PMOS元件的衬底。如果NMOS，其栅极和源极别离连接被掩护电路的电源端和接地端，其漏极连接被掩护电路中NMOS元件的衬底。一旦被掩护电路的电源极性反接，掩护用处效应管会组成断路，避免电流焚毁电路中的场效应管元件，掩护全体电路。

具体N沟道MOS管防反接掩护电路电路如图3示

图3. NMOS管型防反接掩护电路

图3

N沟道MOS管颠末S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管供给电压偏置，利用MOS管的开关特征节制电路的导通和断开，而后避免电源反接给负载带来破坏。正接时候，R1供给VGS电压，MOS饱满导通。反接的时候MOS不能导通，以是起到防反接感化。功率MOS管的Rds（on）只需20mΩ理论消耗很小，2A的电流，功耗为（2×2)×0.02=0.08W底子不用外加散热片。处置了现有选用二极管电源防反接计划存在的压降和功耗过大的题目。