模电mos管,1200v3a,KND42120A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-11-13
KND42120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流3A，具有高压和低导通电阻特征，进步体系效力；低导通电阻RDS(ON) 7Ω、低栅极电荷(17.5nC)最小化开关消耗；和高速的呼应才能进步切换速率，合适RoHS规范，疾速规复体二极管，确保机能不变靠得住，合用于适配器、充电器和SMPS备用电源等范畴；封装情势：TO-252。
漏源电压：1200V
漏极电流：3A
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：12A
雪崩能量单脉冲：100MJ
最大功耗：75W
输入电容：860PF
输入电容：60PF
守旧提早时候：17nS
关断提早时候：23nS
回升时候：6ns
降落时候：11ns
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜刮微信公家号:“KIA半导体”或扫码存眷官方微信公家号
存眷官方微信公家号：供给 MOS管 手艺撑持
免责申明：网站局部图文来历别的来由，若有侵权请接洽删除。
