40n20参数,充电器公用mos管,KIA40N20AP场效应管现货-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-11-12
无线充电器公用MOS管KIA40N20AP漏源击穿电压200V，漏极电流40A，低导通电阻RDS(ON) =0.08Ω、低栅极电荷（典范值50nC），最小化开关消耗；具备疾速切换才能、合适RoHS规范，不变靠得住，40n20场效应管高效力低消耗，合用于DC-DC转换器、UPS、DC-AC转换器和逆变电路、安防、拉杆音箱、无线充电器等范畴。封装情势：TO-220。
漏源电压：200V
漏极电流：40A
漏源通态电阻：0.08Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：120A
单脉冲雪崩能量：800MJ
功率耗散：175W
总栅极电荷：50nC
输入电容：1560PF
输入电容：370PF
守旧提早时候：26nS
关断提早时候：141nS
回升时候：32ns
降落时候：83ns
接洽体例：邹师长教师
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
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