储能电源mos管,650v场效应管,KIA12N65H参数引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-10-31
KIA12N65H场效应管漏源电压650V，漏极电流12A，导通电阻RDS（ON）0.63Ω，高效低耗；低栅极电荷（典范值52nC），最小化开关消耗，疾速切换才能在电路中能够敏捷呼应旌旗灯号变更，确保旌旗灯号传输的精确性、雪崩能量划定和改良的dv/dt才能加强了不变性及宁静性；专为高压、高速功率开关利用而设想，如高效开关电源、有源功率因数校订、基于半桥拓扑的电子灯镇流器；封装情势：TO-220F。
漏源电压：650V
漏极电流：12A
漏源通态电阻：0.63Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：48A
雪崩能量：865mJ
耗散功率：54W
总栅极电荷：52nC
输入电容：1850 PF
输入电容：180 PF
守旧提早时候：30nS
关断提早时候：140nS
回升时候：90ns
降落时候：90ns
接洽体例：邹师长教师
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