16n50参数及代换,KIA16N50H场效应管参数,中文材料-KIA MOS管
信息来历:本站 日期:2024-10-29
KIA16N50H场效应管漏源电压500V,漏极电流16A,超卓的导通电阻RDS(ON)0.32Ω;低栅极电荷(典范值45nC),最小化开关消耗,具备疾速切换才能、指定雪崩能量、改良的dv/dt才能,不变靠得住;在储能电源中普遍利用,供给超卓的开关机能;还热销于高效开关电源、有源功率因数校订、基于半桥拓扑的电子灯镇流器;封装情势:TO-220F、247、3P。
漏源电压:500V
漏极电流:16A
漏源通态电阻:0.32Ω
栅源电压:±30V
脉冲泄电流:64A
单脉冲雪崩能量:853MJ
功率耗散:205W
总栅极电荷:45nC
输入电容:2200PF
输入电容:350PF
守旧提早时候:50nS
关断提早时候:90nS
回升时候:170ns
降落时候:80ns
接洽体例:邹师长教师
座机:0755-83888366-8022
手机:18123972950(微信同号)
QQ:2880195519
接洽地点:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜刮微信公家号:“KIA半导体”或扫码存眷官方微信公家号
存眷官方微信公家号:供给 MOS管 手艺撑持
免责申明:网站局部图文来历别的来由,若有侵权请接洽删除。
