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​16n50参数及代换,KIA16N50H场效应管参数,中文材料-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2024-10-29 

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16n50参数及代换,KIA16N50H场效应管参数

KIA16N50H场效应管漏源电压500V,漏极电流16A,超卓的导通电阻RDS(ON)0.32Ω;低栅极电荷(典范值45nC),最小化开关消耗,具备疾速切换才能、指定雪崩能量、改良的dv/dt才能,不变靠得住;在储能电源中普遍利用,供给超卓的开关机能;还热销于高效开关电源、有源功率因数校订、基于半桥拓扑的电子灯镇流器;封装情势:TO-220F、247、3P。

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漏源电压:500V

漏极电流:16A

漏源通态电阻:0.32Ω

栅源电压:±30V

脉冲泄电流:64A

单脉冲雪崩能量:853MJ

功率耗散:205W

总栅极电荷:45nC

输入电容:2200PF

输入电容:350PF

守旧提早时候:50nS

关断提早时候:90nS

回升时候:170ns

降落时候:80ns

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