三极管驱动mos管,三极管和MOS管驱动-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-10-15
能够用三极管间接驱动MOS吗？回覆是：能够间接驱动。因为MOS场效应管是一种电压驱动器件，要想使其充实导通，请求其栅极驱动电压的幅度要充足大，而一些高压IC电路（比方3.3V供电的单片电机路）输出幅度较小，间接用来驱动MOS场效应管，底子没法使管子完整导通。为处理此题目，常加一级双极型三极管驱动电路来驱动MOS场效应管，电路如图所示。
VT1为NPN型三极管，其基极输出旌旗灯号的幅度只要5V，而MOS场效应管VT2的开启电压较高，要想使其充实导通，其栅极驱动电压普通请求≥10V。为了能驱动MOS场效应管导通，电路中加了一级三极管电路，当VT1基极其5V高电日常平凡，VT1导通，VT2停止;当VT1基极其低电平0V时，VT1停止，其集电极的10V电压(Rc上的压降几近为零，能够疏忽不计)间接加至VT2的G极(即栅极)，如许便能够使VT2取得充足的栅极电压而导通。
在用三极管驱动MOS场效应管时，须要注重MOS场效应管栅极所接电阻（即上图中的Rc）的取值。
受限于MOS管的驱动阈值，在很多的利用处景中没法间接利用MCU或SOC的GPIO电平驱动MOS的导通与关断，此时须要在MOS的G极处增添一个栅极驱动电路，完成GPIO电平能够驱动MOS。
如图演示了PMOS的自驱效应，当PMOS的G极毗连S极时，VGS=0V，PMOS便会自开启，那末若是在PMOS的G极与GND之间增添一道SW开关，那末就能够完成G极电位在GND和Vin之间切换，那末就能够经由过程SW来节制PMOS的开启与封闭。
将图1中的SW开关改换为三极管BJT，如图2 ，那末便是一个典范的BJT驱动高边PMOS的电路，此中C1，C2，Zener非须要。C1用做加快BJT翻开，C2用做BJT疾速关断，Zener用做VGS钳位，防止刹时电压跨越MOS的VGSmax耐压从而破坏MOS。
R1和R2在一条途径上能够调理分压，也即调剂G极电位，Q2关断时，VG=VS，VGS=VG-VS=0V，Q1导通时，VG=Vin×{R2/(R1+R2)}，VS=Vin，那末VGS=Vin×{R2/(R1+R2)}-Vin。当R1很大，R2很小，VGS≈Vin，此时若是VGS靠近或跨越Q1的GS耐压值VGSS，会破坏PMOS，那末这时候就能够调剂R1，R2的比例，将导通时VGS值调剂至-VGSS＜VGS＜VGSTHmin。
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