mos管的驱动电阻,mos管驱动电阻计较-KIA MOS管

mos管的驱动电阻

驱动电阻的感化

供给阻尼：在MOSFET守旧刹时，驱动电阻经由过程供给充足的阻尼来阻尼驱动电流的震动，确保MOSFET能够或许安稳地守旧。

避免误守旧：在MOSFET关断时，驱动电阻能够或许限定因为dV/dt发生的电流，避免MOSFET因误守旧而破坏。

在MOSFET的栅极上串连一个Rg电阻或将它接在MOSFET的栅极与驱动电路之间这是罕见的做法。 能够或许衰减栅极上出现的振荡， 但下降了转换器的效力。

普通，驱动频次越高，阈值电压下降，对效力请求越高，Rg须要减小。

等效驱动电路：

L为PCB走线电感，普通直走线为1nH/mm，斟酌杂七杂八的身分，取L = Length+10（nH），此中Length单元取mm。Rg为栅极驱动电阻，设驱动旌旗灯号是12V峰值的方波，Cgs为MOSFET栅源极电容，差别管子及差别的驱动电压会不一样，取1nF。

则：VL+VRg+VCgs=12V

Rg的最小驱动电阻计较

由图能够看出，Rg较小时驱动电压上冲会比拟高，震动会比拟多，L越大越较着，此时会对MOSFET及其余器件机能发生影响，可是阻值过大时驱动波形回升较慢，当MOSFET有较大电流经由过程时会有倒霉影响。

当L比拟小时，此时驱动电流的峰值比拟大，而普通IC的驱动电流输入才能都是有一定限定的，当现实驱动电流到达IC输入的最大值时，此时IC输入相称于一个恒流源，对Cgs线性充电，驱动电压波形的回升率会变慢。电流曲线就能够以下图所示，如许能够对IC的靠得住性发生影响，电压波形回升能够会发生一个小的台阶或毛刺。

普通IC的PWM OUT 输入以下图所示，内部集成了限流电阻Rsource和Rsink，凡是Rsource>Rsink，详细数值巨细同IC的峰值驱动输入才能有关，能够类似以为R=Vcc/Ipeak。普通IC的驱动输入才能在0，5A，是以Rsource在20欧姆摆布。

由后面的电压电流曲线能够看到普通的利用中IC的驱动能够间接驱动MOSFET，但现实驱动走线不是直线，感量会更大，并且为了避免内部搅扰，仍是要利用Rg驱动电阻停止按捺，斟酌到走线散布电容的影响，这个电阻要尽可能接近MOSFET的栅极。

L对回升时候影响较小，Rg影响较大，回升时候能够用2xRgxCgs，凡是回升时候小于导通时候的二非常之一时，MOSFET的开关导通消耗不至于会太大形成发烧题目，是以当MSFET的最小导通时候肯定后，Rg最大值就肯定了，普通Rg在取值规模内越小越好。

mos管驱动电阻计较

1.驱动电阻下限值的计较

计较准绳：驱动电阻必须在驱动回路中供给充足的阻尼，来阻尼MOSFET守旧刹时驱动电流的震动。

计较步骤：肯定MOSFET的寄生电容Cgs（普通可在MOSFET的数据手册中查到）。

预算驱动回路的感抗Lk（包罗MOSFET引脚、PCB走线、驱动芯片引脚等的感抗，普通在几十nH摆布）。

按照LC振荡电路的特征，经由过程公式计较出驱动电阻Rg的下限值。凡是，须要保障体系处于过阻尼状况，即阻尼比大于1。

注重：现实设想时，普通先按照公式计较出Rg下限值的大抵规模，而后再经由过程尝试，以驱动电流不发生震动作为临界前提，得出Rg的下限值。

2.驱动电阻下限值的计较

计较准绳：避免MOSFET关断时发生很大的dV/dt，使得MOSFET再次误守旧。

计较步骤：肯定MOSFET的寄生电容Cgd和门坎电压Vth（都可在数据手册中查到）。

预算MOSFET关断时漏源级电压的回升时候（该时候普通也在数据手册中可查）。

按照公式i=CdV/dt计较出在Cgd上发生的电流igd。

再按照公式Vgoff=IgdxRg计较出在GS间发生的电压，确保该电压不高于MOSFET的门坎电压Vth。

注重：经由过程以上步骤，能够计较出驱动电阻Rg的下限值。在现实利用中，还须要斟酌其余身分，如开关消耗、EMI等，来进一步优化阻值的拔取。

MOS管的驱动电阻普通为几十欧姆。对差别规格的MOS管，驱动电阻的挑选有所差别。普通来讲，高压小电流的MOS管，GS栅极驱动电阻普通取100Ω-500Ω；高压大电流的MOS管，GS栅极驱动电阻普通取10Ω~100Ω，此中20Ω和30Ω是比拟罕见的取值。

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