MOS管驱动机电电路,机电正反转电路分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-10-14
驱动电路接纳Totem输出布局设想，上拉驱动管为NMOS管N4、晶体管Q1和PMOS管P5。下拉驱动管为NMOS管N5。图中CL为负载电容，Cpar为B点的寄生电容。虚线框内的电路为自举升压电路。
电路设想思惟：操纵自举升压布局将上拉驱动管N4的栅极（B点）电位抬升，使得UB》VDD+VTH ，则NMOS管N4任务在线性区，使得VDSN4 大大减小，终究能够完成驱动输出高电平到达VDD。而在输出低电日常平凡，下拉驱动管自身就任务在线性区，能够保障输出低电平位GND。是以无需增添自举电路也能到达设想请求。
驱动计划是双继电器+NMOS的驱动体例，拔取的继电器是一款SPDT（单刀双掷）继电器。
1、当DO1为低电平（0V）、DO2为高电日常平凡（5V）、同时PWM1端输出10V摆布的直流电压时（MOS管导通），继电器K1举措(接点A2与A1接通)。K2不举措（接点B2仍与B3接通），回路中的电流从A1-A2-负载机电端-B2-B3-MOS管的D-S直到GND，机电正转。
2、反之，当DO1为高电平（5V）、DO2为低电日常平凡（0V）、同时PWM1端输出10V摆布的直流电压时（MOS管导通），继电器K1不举措(接点A2与A3接通)。K2举措（接点B2与B1接通），回路中的电流从B1-B2-负载机电端-A2-A3-MOS管的D-S直到GND，机电反转。
3、当DO1、DO2同为低电平（0V），且PWM1端输出低电平0V时（MOS管关断），机电停转，且机电经由过程B2-B3-A3-A2的电流回路开释机电停转眼间发生的感到电流（机电为理性负载）。
4、当PWM1端输出的不是一个直流电压，而是幅值10V且占空比为0-100%的PWM脉冲时，可用于机电的调速节制。
注：
1、图中的D1、D2二极管作为继电器的线圈关断时，使感到电流构成泄放回路的掩护器件；
2、MOS管G极的10R电阻用于调理MOS管的守旧速率，电阻越大守旧速率越慢，越小守旧速率越快，MOS管GS真个10K电阻用于保障MOS在G级未给驱动的状况下，处于有用停止状况下，避免MOS管误触发。
器件选型：
1、继电器与MOS的选型须要参考机电的额外功率/容量，继电器的接点电压须要≥机电额外电压的1.2倍，接点电流须要≥机电额外电流的3倍；另MOS管的VDS最少须要≥机电额外电压的2倍，ID最少须要≥机电额外电电流的4-5倍(机电俄然启动时，刹时电流是约为额外电流的3倍摆布)，在此根本上，挑选RDS越小的MOS管，管子的发烫量会越低，价钱会绝对高贵，须要综合评价。
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