场效应管参数对比表,场效应管参数查问-KIA MOS管

场效应管首要参数

最大额外参数：包含最大漏-源电压（VDSS）、最大栅源电压（VGS）等。

最大漏-源电压（VDSS）：在栅源短接时，漏-源未产生雪崩击穿前所能施加的最大电压。

最大栅源电压（VGS）：栅源南北极间可以或许施加的最大电压，防止电压太高致使的栅氧化层毁伤。

持续泄电流（ID）：在最大额外结温下，管外表温度在25℃或更高温度下，可许可的最大持续直流电流。

脉冲漏极电流（IDM）：反应器件可以或许处置的脉冲电流的凹凸，脉冲电流要远高于持续的直流电流。

场效应管参数对比表

参数：额外电压 - VR （Voltage Rating）MOSFET的最大许可电压。

参数：额外电流 - IR （Current Rating）MOSFET在普通任务前提下可以或许蒙受的最大电流。

参数：导通电阻 - RON （On-Resistance）MOSFET在导通状况下，源极和漏极之间的电阻值。导通电阻的巨细间接影响MOSFET的功耗和发烧。

参数：开关速率 - TON， TOFF （Switching Time）MOSFET的开关转换时候，包含开启时候和封闭时候。开关速率对高频利用相当主要。

参数：阈值电压 - VTH （Threshold Voltage）MOSFET起头导通的最低电压。阈值电压越低，器件的开关速率越快。

参数：雪崩耐量 - SURG （Surge Tolerance）MOSFET在雪崩效应产生时可以或许蒙受的电流和电压才能。雪崩耐量越高，器件的靠得住性越好。

参数：结温 - TJ （Junction Temperature）MOSFET外部芯片的最高任务温度。结温太高可以或许致使器件机能降落或破坏。

参数：输入电容 - Ciss， Cgs （Input Capacitance）MOSFET栅极与源极之间的电容。输入电容的巨细影响开关速率和驱动才能。参数：输入电容 - Ciss， Cgs （Input Capacitance）

参数：输入电容 - Coss， Cds （Output Capacitance）MOSFET漏极与源极之间的电容。输入电容的巨细影响开关速率和驱动才能。

参数：反向传输电容 - Crss， Cgd （Reverse Transfer Capacitance）MOSFET栅极与漏极之间的电容。反向传输电容的巨细影响开关速率和旌旗灯号品质。

漏源电压（VDS）：MOSFET的漏极和源极之间的电压。漏源电压是MOSFET可以或许蒙受的最大电压，跨越此电压可以或许致使器件破坏。

漏源电流（IDS）：流过MOSFET漏极和源极之间的电流。漏源电流的巨细间接影响MOSFET的功耗和发烧。

栅源电压（VGS）：加在MOSFET栅极和源极之间的电压。栅源电压节制MOSFET的开关状况，从而影响漏源电流的通断。

驱动电压（VDRV）：驱动电路供给的电压，用于节制MOSFET的栅源电压。驱动电压的巨细和稳定性影响MOSFET的开关机能和靠得住性。

静态电阻（Ron）：在导通状况下，MOSFET的漏源电阻随漏源电流的变更而变更。静态电阻越小，表现MOSFET的导电机能越好。

反向传输电容（Cgd）：MOSFET的栅极和漏极之间的电容。反向传输电容的巨细影响开关速率和旌旗灯号品质。

导通电阻（Ron）：是指当MOSFET处于导通状况时，从源极到漏极的导通电阻。导通电阻越小，表现MOSFET在导通状况下有更好的导电才能，可以或许传输更大的电流，也能供给更低的功耗。

泄泄电流（Igss）：是指MOSFET在封闭状况下的泄电流。泄泄电流应尽可以或许小，以确保在封闭状况下无功率丧失。

阈值电压（Vth）：是指MOSFET起头导通的电压。

最大漏源电流（ID）：是指MOSFET普通任务时，漏源间所许可经由过程的最大电流。场效应管的任务电流不应跨越ID。此参数会随结温度的回升而有所减额。

最大脉冲漏源电流（IDM）：此参数会随结温度的回升而有所减额。

最大栅源电压（VGS）：是指MOSFET普通任务时，加在栅极和源极之间的最大电压。

漏源击穿电压（V（BR）DSS）：是指栅源电压VGS为0时，场效应管普通任务所能蒙受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的任务电压必须小于V（BR）DSS。它具备正温度特征。故应以此参数在高温前提下的值作为宁静斟酌。

开启电压（VGS（th））：当外加栅极节制电压VGS跨越VGS（th）时，漏区和源区的外表反型层构成了毗连的沟道。利用中，常将漏极短接前提下ID即是1毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数普通会随结温度的回升而有所下降。

耗散功率（PD）：是指场效应管机能稳定坏时所许可的最大漏源耗散功率。利用时，场效应管现实功耗应小于PDSM并留有必然余量。此参数普通会随结温度的回升而有所减额。

最大任务结温（Tj）：凡是为150℃或175℃，器件设想的任务前提下须确应防止跨越这个温度，并留有必然裕量。

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