7n65f参数及代换,KNX4665B场效应管参数引脚图规格书-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-09-03
KNX4665B场效应管能够或许或许替换7n65型号利用在DCDC转换器、电源适配器、镇流器、LED驱动中，漏源击穿电压650V，漏极电流7A，能够或许或许蒙受较大的电压压力及杰出的导电机能；RDS（ON）的典范值为1.1Ω，低导通电阻，低栅极电荷最小化，有用降落开关消耗，晋升全体机能；合适ROHS规范、装备疾速规复体二极管，能够或许或许有用削减反向规复时候，进步开关速率，封装情势：TO-252、TO-220F。
漏源电压：650V
漏极电流：7A
漏源通态电阻(RDS(on))：1.1Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：28A
雪崩能量单脉冲：400MJ
最大功耗：75/42W
输入电容：1048PF
输入电容：98PF
总栅极电荷：24nC
守旧提早时候：12nS
关断提早时候：34nS
回升时候：12ns
降落时候：14ns
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号
请“存眷”官方微信公家号:供给 MOS管 手艺赞助
免责申明：本网站局部文章或图片来历别的来由，若有侵权，请接洽删除。
