Ciss和Coss和Crss,电容特点Ciss,Coss,Crss-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-09-03
在MOSFET中，栅极由一层薄的氧化硅完成绝缘。是以，功率MOSFET在栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极之间具备电容，详细如图所示。Ciss为输入电容，Crss为反应电容，Coss为输入电容。电容会影响MOSFET的开关机能。
输入电容Ciss = Cgs + Cgd；
输入电容Coss = Cds + Cgd；
反向传输电容Crss = Cgd
这三个电容几近不受温度变更的影响，是以，驱动电压、开关频次会比拟较着地影响MOS管的开关特点，而温度的影响却比拟小。
电容特点 (Ciss , Coss , Crss )
由于功率 mos 管的布局，会发生寄生电容（CGS、CGD、CDS）。这些寄生电容会影响开关特点。
输入电容，Ciss
输入电容 Ciss 影响提早时候。当 Ciss 大时，提早时候长，由于在功率 mos 管导通/关断时必须对大批电荷停止充电/放电。Ciss 越大，功率消耗越大。是以，Ciss 小的功率 mos 管是抱负的。
C iss经由过程下式计较。
C iss = C GS+ C GD
输入电容，Coss
输入电容 Coss影响关断特点。
当 Coss 较大时，漏源电压 VDS 的电压变更率 dv/dt 在功率 mos 管关断时降落，从而降落了噪声的影响，但增添了导通关闭降落时候t f。
Coss经由过程下式计较。
C oss = C DS + C GD
反向传输电容，Crss
反向传输电容，Crss 也称为镜像电容。
Crss 影响高频特点。Crss 越大，越呈现以下特点:
导通时漏源电压 VDS 的降落时候较长（导通回升时候 t r较长）
关断时漏源电压 VDS 的回升时候较长（关断降落时候 t f较长）
功率消耗大
反向传输电容 Crss 经由过程以下公式计较。
C rss = C GD
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