4n65场效应管参数,4n65f参数及代换,KIA4N65H材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-08-28
KIA4N65H场效应管漏极电流4A，漏源击穿电压为650V，RDS（开）=2.5Ω @ VGS=10V，最大限制削减导通电阻；低栅极电荷，典范值为16nC，高坚忍性、100%雪崩测试、改良的dv/dt才能、在雪崩和换向情势下蒙受高能脉冲，能够或许或许确保不变性和靠得住性，带来高效力和疾速呼应，削减电路中的乐音和搅扰。KIA4N65H能够或许替换4n65型号利用在高效开关电源、开关电源、LED驱动中；封装情势：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F。
漏源电压：650V
漏极电流：4A
漏源通态电阻：2.5Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：12A
雪崩能量单脉冲：180MJ
功率耗散：58W
总栅极电荷：16nC
输入电容：560PF
输入电容：55PF
守旧提早时候：10nS
关断提早时候：40nS
回升时候：40ns
降落时候：50ns
接洽体例：邹师长教师
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