76N60N参数代换,KCM3560A场效应管参数引脚图,76A 600V-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-08-27
KCM3560A场效应管能够替换76N60N利用，漏源击穿电压600V，漏极电流76A，RDS(on)typ.=36mΩ@VGS=10V；具备坚忍的高压终端、指定雪崩能量、与团圆疾速规复二极管相称的源极到漏极规复时候、低温下划定的IDSS和VDS（ON）、断绝装置孔削减了装置硬件，专为电源、转换器和PWM机电节制的高电压、高速开关利用设想，出格合用于二极管速率和换向宁静操纵地区相当主要的桥式电路，为避免不测电压瞬变供给额定的宁静裕度，机能超卓；封装情势：TO-247。
泄电留持续：76A
泄电流脉冲：225.9A
栅源电压（持续）：±20V
耗散功率：595W
漏源击穿电压：600V
栅极阈值电压：2V
输入电容：6018 PF
输入电容：245 PF
反向传输电容：23PF
守旧提早时候：48.1nS
关断提早时候：179.1nS
回升时候：114.8ns
降落时候：113.3ns
接洽体例：邹师长教师
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