12n60场效应管参数,高压mos管,KIA12N60H参数引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-08-26
KIA12N60H场效应管专为高压、高速功率开关利用而设想，能够替换12N60型号利用在开关电源、LED驱动、储能电源中；漏源击穿电压600V，漏极电流12A，RDS(on)= 0.53Ω @ VGS=10V，低导通电阻，超低栅极电荷52nC，高效力低消耗；具备疾速切换才能、改良的dv/dt才能、指定的雪崩能量，不变靠得住；封装情势： TO-220、220F。
漏源电压：600V
漏极电流：12A
漏源通态电阻：0.53Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：48A
雪崩能量单脉冲：865MJ
功率耗散：231W
总栅极电荷：52nC
输入电容：1850PF
输入电容：180PF
守旧提早时候：30nS
关断提早时候：140nS
回升时候：90ns
降落时候：90ns
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
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