8n60场效应管参数代换,KIA8N60H参数引脚图,中文材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-08-23
KIA8N60H场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7.5A，RDS（开）值仅为0.98Ω，具备杰出的导通机能；超低栅极电荷仅为29nC，揭示疾速切换才能；具备疾速开关时候、改良的dv/dt才能、高雪崩特征，高效不变。KIA8N60H能够替换8N60型号在电源、LED驱动、PWM机电节制、高效DC-DC转换器和桥接电路中的高速开关利用，封装情势： TO-220、220F。
漏源电压：600V
漏极电流：7.5A
漏源通态电阻(RDS(on))：0.98Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：30A
最大功耗：147/48W
输入电容：1000PF
输入电容：110PF
反向传输电容：12PF
守旧提早时候：20nS
关断提早时候：80nS
回升时候：50ns
降落时候：70ns
接洽体例：邹师长教师
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