pmos防反接电路设想,电路道理图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-08-23
当但愿板内电源的负极与电源进口的负极间接接通时，可以或许利用PMOS防反接电路，电路图如图所示，因为寄生二极管的存在，当电源正接时，Vs=Vd-0.7V，此时D7被击穿，故Vgs<Vth，从而PMOS接通。当进口电源反接时，Vs=Vg，故PMOS不接通。
利用PMOS时须要注重：
PMOS的VDS该当知足最高反向电压的电压请求，不然寄生二极管可以或许被击穿；
PMOS的Rds(on)带来的压降会致使电源电压下降，下降幅度是不是可以或许知足请求。
PMOS用作电源开关，将负载与电源毗连或断开，在准确毗连电源时代，MOSFET因为准确的VGS(栅极到源极电压)而导通，但在反极性环境下，栅极到源极电压太低而没法导通MOSFET并将负载与输入电源断开。
100R电阻是与齐纳二极管相连的MOSFET栅极电阻，齐纳二极管掩护栅极免受过压。
MOSFET挑选的首要参数
DS漏源电阻(RDS)：利用极低的RDS(漏源电阻)以完成低散热和极低的输入压降，更高的RDS将发生更高的热耗散。
D漏极电流：经由过程MOSFET的最大电流，若是负载电流须要2A电流，挑选可以或许蒙受该电流的MOSFET。在这类环境下，漏极电流为3A的MOSFET是一个不错的挑选。挑选比现实须要大的参数。
DS漏源电压：DS漏源电压须要高于电路电压。若是电路须要最大30V的电压，则须要漏源电压为50V的MOSFET能力宁静运转，一直挑选大于现实须要的参数。反接时，MOSFET会因Vgs缺乏而关断，对负载电流和MOSFET都不影响。
以上参数在一般环境下都是须要的，须要谨严挑选。
齐纳二极管电压的挑选：
每一个MOSFET都带有一个Vgs（栅极到源极电压）。若是栅极到源极电压增添跨越最大额外值，这可以或许会破坏MOSFET栅极。是以，挑选一个不会跨越MOSFET栅极电压的齐纳二极管电压。对10V的Vgs，9.1V齐纳二极管就充足了。确保栅极电压不应跨越最大额外电压。
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