nmos防反接掩护电路,道理图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-08-23
基于NMOS的防反接电路如图所示：
NMOS用于节制电源负极；
NMOS的漏极D接输出电源负极，NMOS的源极S接板内电源负极；
当电源正接时，上电早期，Vs=Vg=Vin，因为NMOS寄生二极管的存在，NMOS的漏极与源极导通，Vs=Vd+0.7V，而Vd=GND，故Vs=0.7V摆布，Vgs=Vin-Vd6，选型公道的话，Vgs＞Vth，故NMOS导通。导通后，设经由过程电流为I，NMOS的导通阻抗为Rds(on)，则板边疆立体与输出电源立体之间存在的压降为△V=I*Rds(on)。故利用NMOS停止防反接时需要存眷因为导通阻抗带来的回流题目。
从图中能够看出，电源电流走向先颠末负载而后从Q1 nmos的S极出nmos的D极，因为nmos的DS之间中存在寄生二极管，以是第一阶段负载两头的电压为：
第二阶段因为电源VCC还从R1、R2、Q1流过，因为R1和R2的存在会在Q1 nmos的GS之间成立压降：
这是一个正反应的道理，当大于Q1 nmos的GS之间阈值电压，那末Q1 nmos的DS之间就会被导通，跟着时候增添，nmos的DS之间就会等效为一个几毫欧姆的电阻，就算在两头流过大电流也不会有很大压降发生。此时负载两头电压为：
凡是在高电压的场所，能够在R2两头加一个稳压二极管，避免电源遭到搅扰发生尖峰波，从而使得nmos的GS之间电压刹时高于极限电压Vgss而销毁，从HY1603D的极限参数表中能够获得Vgss最高为20V。
固然在低电压的场所完整用不到稳压二极管D2，以是电路图能够简化为下图所示。
普通环境下nmos防反接电路
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