7n60场效应管参数,led驱动mos管,KIA7N60H参数管脚-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-08-22
KIA7N60H接纳进步前辈的立体条纹DMOS手艺出产，可最大限制地削减导通电阻，供给超卓的开关机能，并在雪崩和换向情势下蒙受高能脉冲，很是合适高效开关情势电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校订。
KIA7N60H场效应管能够代换7n60型号，在高压利用中表现超卓，漏源击穿电压600V，漏极电流7A，RDS（翻开）=1.0Ω @ VGS=10V，低导通电阻，有用降落功耗和进步效力；具备超低的栅极电荷，典范值为27nC，和低反向转移电容、雪崩能量测试、改良的dv/dt才能，确保在疾速切换进程、高压、高频次前提下不变靠得住，多种封装情势： TO-263、262、220、220F，便利装置利用。
漏源电压：600V
漏极电流：7.0A
漏源通态电阻(RDS(on))：1.0Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：28A
雪崩能量单脉冲：215MJ
最大功耗：140/45W
输入电容：900PF
输入电容：100PF
反向传输电容：11.5PF
守旧提早时候：20nS
关断提早时候：75nS
回升时候：45ns
降落时候：70ns
接洽体例：邹师长教师
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