KIA24N50H替换24n50场效应管参数,500V 24A,中文材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-08-21
KIA24N50H场效应管接纳进步前辈的立体条纹DMOS手艺出产，可最大限制地降落导通电阻，供给出色的开关机能，并在雪崩和换向情势下蒙受高能脉冲。KIA24N50H能够替换24n50型号利用在开关电源、LED驱动、逆变器、电动车节制器中。
KIA24N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流24A，低导通电阻RDS（ON）=0.16Ω@VGS=10v，低栅极电荷（典范90nC），使开关消耗最小化，进步效力；具备高坚忍性、疾速切换、100%雪崩测试、改良的dv/dt才能，不变靠得住；封装情势： TO-3P。
漏源电压：500V
漏极电流：24A
漏源通态电阻：0.16Ω
栅源电压：±30V
脉冲泄电流：96A
雪崩能量单脉冲：1150MJ
功率耗散：290W
总栅极电荷：90nC
输入电容：3500PF
输入电容：520PF
守旧提早时候：100nS
关断提早时候：200nS
回升时候：250ns
降落时候：150ns
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