KIA730H中文材料PDF,kia730h代换irf730场效应管-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-08-15
KIA730H能够代换irf730场效应管利用在开关电源、逆变器、机电驱动器、开关转换器中。kia730h漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS(ON)，typ.=0.83Ω@VGS=10V，具备较低的导通电阻，低栅极电荷（典范值为20nC），可最大限制地削减导通消耗；疾速切换才能，改良的dv/dt才能，极高的雪崩击穿耐量，确保机能不变靠得住；封装：TO-220、220F、251、252，多种封装知足差别需要。
漏源电压：400V
栅源电压：±30V
泄电留连续：6.0A
脉冲漏极电流：24A
雪崩能量：270mJ
耗散功率：73W
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：520PF
输入电容：80PF
回升时候：60ns
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号
请“存眷”官方微信公家号:供给 MOS管 手艺赞助
免责申明：本网站局部文章或图片来历别的来由，若有侵权，请接洽删除。
