逆变器mos管,KIA6720N可代换IRF640参数,中文材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-08-12
KIA6720N场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流18A，RDS（ON）=0.12Ω@VGS=10V；低导通电阻、低栅极电荷使开关消耗最小化，合适RoHS，峰值电流与脉冲宽度曲线，高效不变，普遍利用于逆变器、CRT、电视/监督器等范畴。KIA6720N能够代换IRF640场效应管利用，封装情势：TO-220。
漏源电压：200V
栅源电压：±20A
泄电留连续：18A
脉冲漏极电流：72A
雪崩能量：1000mJ
耗散功率：156W
热电阻：62℃/V
漏源击穿电压：200V
栅极阈值电压：2V
输入电容：1256PF
输入电容：158PF
回升时候：33ns
接洽体例：邹师长教师
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