STP14NF10场效应管代换,KIA6410A参数引脚图-KIA MOS管
信息来历:本站 日期:2024-08-05
KIA6410A场效应管接纳沟槽DMOS手艺,颠末特地定制,漏源击穿电压100V、漏极电流15A,具有RDS(ON)=72 mΩ@VGS=10V的低导通电阻特征,可以或许明显下降导通电阻,供给超卓的开关机能;还具有改良的dv/dt才能,确保疾速切换的不变性、和100%的EAS保障、绿色装备合适环保请求;在雪崩和换向情势下可以或许蒙受高能脉冲,很是合用于高效疾速切换的利用处景。KIA6410A可替换STP14NF10在Led利用法式,收集体系和负载开关中利用。KIA6410A封装情势:TO-220、TO-252、TO-251。
漏源电压:100V
栅源电压:±20V
泄电留连续:15A
脉冲漏极电流:60A
耗散功率:50W
热电阻:62℃/V
漏源击穿电压:100V
温度系数:0.05V/℃
栅极阈值电压:1.2V
输入电容:1480PF
输入电容:480PF
回升时候:9.5ns

接洽体例:邹师长教师
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