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STP14NF10场效应管代换,KIA6410A参数引脚图-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2024-08-05 

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STP14NF10场效应管代换,KIA6410A参数引脚图-KIA MOS管


STP14NF10,KIA6410A参数引脚图

KIA6410A场效应管接纳沟槽DMOS手艺,颠末特地定制,漏源击穿电压100V、漏极电流15A,具有RDS(ON)=72 mΩ@VGS=10V的低导通电阻特征,可以或许明显下降导通电阻,供给超卓的开关机能;还具有改良的dv/dt才能,确保疾速切换的不变性、和100%的EAS保障、绿色装备合适环保请求;在雪崩和换向情势下可以或许蒙受高能脉冲,很是合用于高效疾速切换的利用处景。KIA6410A可替换STP14NF10在Led利用法式,收集体系和负载开关中利用。KIA6410A封装情势:TO-220、TO-252、TO-251。

STP14NF10,KIA6410A参数

STP14NF10,KIA6410A场效应管参数

漏源电压:100V

栅源电压:±20V

泄电留连续:15A

脉冲漏极电流:60A

耗散功率:50W

热电阻:62℃/V

漏源击穿电压:100V

温度系数:0.05V/℃

栅极阈值电压:1.2V

输入电容:1480PF

输入电容:480PF

回升时候:9.5ns


STP14NF10,KIA6410A参数规格书

STP14NF10,KIA6410A参数

STP14NF10,KIA6410A参数


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