12n10场效应管参数代换,防盗器公用mos管KIA6110A材料-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-08-01
KIA6110A接纳进步前辈的高单位密度沟槽手艺，是机能超卓的N沟道MOSFET，可以或许代换12n10参数100V，15A场效应管在防盗器、LED驱动、DC-DC电源、负载开关中利用；KIA6110A漏源击穿电压100V，漏极电流12A，RDS（ON）=90mΩ@VGS=10v，供给超卓的RDSON和栅极电荷，具备超低栅极电荷、超卓的Cdv/dt效应设想等特征，不变靠得住；封装情势：TO-252、251，散热杰出；合适RoHS和绿色产物请求，100%EAS保障，全功效靠得住性取得核准。
漏源电压：100V
漏极电流：12A
漏源通态电阻：90mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏极电流：24A
雪崩电流：11A
雪崩能量：7.3mJ
耗散功率：34.7W
栅极阈值电压：1.0V
总栅极电荷：26.2nC
输入电容：1535 PF
输入电容：60 PF
回升时候：8.2 ns
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
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