p75nf75场效应管参数代换,KNX3308A参数引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-07-29
KNX3308A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，低rds开启，RDS（ON）值为6.2mΩ，以削减导电消耗，具备高雪崩电流，可以或许在额外任务前提下不变运转，确保电路的宁静靠得住性；接纳无铅和绿色设想，合适环保请求，可以或许替换HY1906、SRP75NF75、FH80N08场效应管在电动车节制器、逆变器、BMS掩护板、储能电源等范畴利用，封装情势：TO-220及多种挑选。
漏源电压：80V
漏极电流：80A
漏源通态电阻(RDS(on))：6.2mΩ
栅源电压：±25V
脉冲泄电流：340A
雪崩能量单脉冲：529MJ
总功耗：240W
总栅极电荷：76nC
输入电容：3110PF
输入电容：445PF
守旧提早时候：20.4nS
关断提早时候：63nS
回升时候：67ns
降落时候：43ns
接洽体例：邹师长教师
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