hy1603,MOS管代换,KNX3406A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-07-22
KNX3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，低电阻，在VGS=10V时，RDS（ON）=6.5mΩ（典范值），最大限制地削减导电消耗，供给出色的开关机能；高雪崩、电流无铅和绿色装备可用，不变靠得住；在电源、DC-DC转换器中普遍利用，封装情势：DFN5*6、TO-252。
漏源电压：60V
漏极电流：80A
漏源通态电阻(RDS(on))：6.5mΩ
栅源电压：±25V
脉冲泄电流：280A
雪崩能量单脉冲：225MJ
总功耗：84.5W
总栅极电荷：104nC
输入电容：6050PF
输入电容：170PF
守旧提早时候：14nS
关断提早时候：20nS
回升时候：13ns
降落时候：7.5ns
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区金田路3037号金中环国际商务大厦2109
请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号
请“存眷”官方微信公家号:供给 MOS管 手艺赞助
免责申明：本网站局部文章或图片来历别的来由，若有侵权，请接洽删除。
