STD35P6LLF6参数代换,KIA8606A场效应管中文材料,优良现货-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-07-19
KIA8606A接纳进步前辈的高单位密度沟槽手艺的N沟道MOSFET，漏源击穿电压60V，漏极电流为35A，超低栅极电荷，供给超卓的开关机能；100%EAS保障、超卓的Cdv/dt效应、绿色装备可用，不变靠得住；KIA8606A可以或许代换ST意法半导体STD35P6LLF6，为LED车灯、同步降压转换器利用供给超卓的RDSON和栅极电荷，KIA3506A封装情势：TO-252、TO-251。
漏源电压：60V
漏极电流：35A
漏源通态电阻(RDS(on))：20mΩ
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：80A
雪崩能量单脉冲：39.2MJ
总功耗：45W
总栅极电荷：19.3nC
输入电容：2423PF
输入电容：145PF
守旧提早时候：7.2nS
关断提早时候：36.4nS
回升时候：50ns
降落时候：7.6ns
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
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