25n06场效应管参数代换,60V 25A,KIA30N06B参数引脚图-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2024-07-18
KIA30N06B场效应管接纳进步前辈的高单位密度沟槽手艺，漏源击穿电压60V，漏极电流25A，RDS（开启）=25mΩ@VDS=60V，具备超低栅极电荷、超卓的Cdv/dt效应降落和100%EAS保障、绿色装备可用，不变靠得住，可以或许在各类利用处景下发挥不变的感化；KIA30N06B可以或许代换25n06场效应管，在高频负载点同步降压变更器、联网DC-DC电源体系、负载开关中利用，封装情势：TO-251、TO-252。
漏源电压：60V
漏极电流：25A
漏源通态电阻(RDS(on))：25mΩ
栅源电压：±20V
脉冲泄电流：50A
雪崩能量单脉冲：34.5MJ
总功耗：34.7W
总栅极电荷：12.56nC
输入电容：1345PF
输入电容：72.5PF
守旧提早时候：8nS
关断提早时候：24.4nS
回升时候：14.2ns
降落时候：4.6ns
KIA30N06B是一款高机能的N沟道MOSFET，具备极高的单位密度，为大大都同步降压转换器利用供给了超卓的RDSON和栅极电荷。KIA30N06B合适RoHS和绿色产物请求，100%EAS保障，全功效靠得住性取得核准。
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